SPD07N60C3 TO-252 07N60C3 650V 7.3A 场效应管 现货库存IC询价 深圳市科诺芯电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.50 元器件 场效应MOS管 SPD07N60C3 TO-252封装 全新现货 深圳喜得世纪科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
SPD07N60C3中文资料
唯样商城为您提供Infineon设计生产的SPD07N60C3 元器件,主要参数为:SPD07N60C3ATMA1_83W DPAK (TO-252) 7.3A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 540mΩ -55°C~150°C,SPD07N60C3库存充足,购买享优惠!
品牌/商标英飞凌INFINEON型号/规格SPD07N60C3 种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道 导电方式耗尽型用途D/变频换流 封装外形CHIP/小型片状材料N-FET硅N沟道 开启电压600(V)夹断电压600(V) 极间电容16(pF) 深圳市富利通电子有限公司 公司信息未核实 所属城市:广东 深圳 ...
型号:SPD07N60C3ATMA1 品牌:Infineon 封装:TO-252-2(DPAK) 描述: 国内价格 1+20.20680 10+17.16120 30+15.26040 库存:17 去购买 型号:SPD07N60C3ATMA1 品牌:INFINEON TECHNOLOGIES 封装:TO-252-2(DPAK) 描述:表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-313 国内价格 香港价格 1+25.8078...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 650V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 7.3A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 600 毫欧 @ 4.6A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 3.9V @ 350µA
型号 SPD07N60C3 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: SPD07N60C3 封装: TO-252 批号: 17+ 数量: 5000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 7.3 A ...
电子管-场效应管-SPD07N60C3-Infineon/英飞凌-TO-252-2-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结...
SPD07N60C3 SPA07N60C3 IRL540NPBF IRF7842PBF BSC016N04LS G SI7460DP-T1-E3 IRLR3705ZPBF FDMS86104 SI7370DP-T1-E3 IRFP240PBF IRF640NPBF CSD19533Q5A SUD25N15-52-E3 CSD16321Q5C FDMS86200 BSC031N06NS3 G FDMS86101 FDB52N20TM FDB5800 SI7846DP-T1-E3 SI...
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商INFINEON 制造商产品编号SPD07N60C3ATMA1 库存编号1664111 也称为SPD07N60C3, SP001117774 技术数据表 Data Sheet 查看所有技术文档 ...