ParametricsSPB02N60S5 ID(@25°C)max1.8 A IDmax1.8 A IDpulsmax3.2 A MountingSMT Ptotmax25 W PackageD2PAK (TO-263) PolarityN QG7.3 nC RDS (on)max3000 mΩ Rth5 K/W RthJCmax5 K/W VDSmax600 V VGS(th)minmax3.5 V 5.5 V ...
Infineon 提供坚固、高质量的汽车 MOSFET,包括 N沟道MOS管、碳化硅MOS、SiC碳化硅、碳化硅管、P沟道增强型MOS管、碳化硅MOS管、IGBT MOSFET 和双N沟道MOS管,满足超过 AEC-Q101 标准的卓越质量。
ParametricsSPB02N60S5 ID(@25°C)max1.8 A IDmax1.8 A IDpulsmax3.2 A MountingSMT Ptotmax25 W PackageD2PAK (TO-263) PolarityN QG7.3 nC RDS (on)max3000 mΩ Rth5 K/W RthJCmax5 K/W VDSmax600 V VGS(th)minmax3.5 V 5.5 V ...
OPNInfoSPB20N60S5ATMA1 Product Statusnot for new design Infineon Package namePG-TO263-3 Standard Package nameD2PAK Order online Completely lead freeno Halogen freeyes RoHS compliantyes Packing Size1000 Packing TypeTAPE & REEL Moisture Level1 ...
SPB11N60C3 600V CoolMOS™C3替代产品是CoolMOS™P7 600V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。 特征描述 特定导通电阻低(RDS(on)* A) 输出电容为(E oss)@ 400V 时,能量储存非常低...
OPN Info SPB20N60S5ATMA1 Product Status not for new design Infineon Package name PG-TO263-3 Standard Package name D2PAK Order online Completely lead free no ハロゲンフリー yes RoHS compliant yes Packing Size 1000 Packing Type TAPE & REEL Moisture Level 1 Moisture Packing NON DRY デザ...
SPB20N60S5 特征描述 创新高压技术 TO-251 和 TO-252 具有全球出色的 RDS(on) 极低的栅极电荷 周期性雪崩额定值 极端dv/dt 额定值 极低的有效电容 改善跨导 Download Data Sheet EN Share 02_03 | 2007-07-24 | pdf | 665 KB 指标参数 ParametricsSPB20N60S5...