微盟ME4054B-N(封装SOT23-5)锂电池充电芯片IC价格 ¥ 0.50 ¥ 0.40 ¥ 0.30 起订数 3000个起批 15000个起批 30000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 ME2106F10P5G微盟1W 升压型 DC/DC 白光 LED 驱动器芯片IC ¥ 0.40 微盟ME8115BD8G电流模式PWM开关电源控制器芯片IC 全新...
封装: SOT23 包装方式: 编带 可售卖地: 全国 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 数量: 2500 产品保证: 原装 产地: 中国 批号: 24+ FET类型: 增强型 安装方式: 表面贴片 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规...
矽源特ChipSourceTek-CST1002B是一款采用SOT23封装的N-MOSFETs,具有100V、2.3A的规格,RDSON值为200mΩ。这款产品是VDS=100V、ID=2.3A、RDSON=200mΩ的N通道100V快速切换MOSFETs,适用于大多数小型电源开关和负载开关应用。 矽源特ChipSourceTek-CST1002B具有高单元密度沟槽N-ch MOSFETs,提供了卓越的RDSON和效率,能...
RU205B(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:RU205B是一款适用于中低电压应用的N沟道MOSFET,常用于电源开关、电机驱动和稳压等领域模块。其可调的阈值电压使其在不同
**VBsemi SMG2310B-VB**- **详细参数说明:** - 封装类型: SOT23 - 沟道类型: N—Channel - 最大耐压: 60V - 最大电流: 4A - 开态电阻(RDS(ON)): - 85mΩ @ VGS=10V - 85mΩ @ VGS=20V - 阈值电压(Vth): 1~3VSMG2310B-VB.pdf...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 BSN20BK BSS138AKANX138 BKNX138AK、 WINSOK、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: WINSOK 封装: SOT-23 批号: 2020+ 数量: 84656497 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 60 漏极电流(Id): 0.265 漏源导通电阻(R...
价格 价格面议 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AO3416、 QYT、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: QYT 封装: SOT23 批号: 2017+ 数量: 2000000 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型 封装外形: SMD(SO)/表面封装 材料: GE...
矽源特ChipSourceTek-MOT120N03D/矽源特ChipSourceTek-MOT120N03C具有以下特性：1. 高密度单元设计：这种设计使得MOSFET具有超低的Rdson，从而减少了导通电阻，提高了开关速度和效率。2. 出色的封装：良好的封装有利于热量的散发，提高了MOSFET的可靠性和稳定性。3. 广泛的应用：适用于各种功率开关应用，包括硬开关和...
矽源特ChipSourceTek-CST3402B是SOT23封装,30V，2A的N-Mosfets。矽源特ChipSourceTek-CST3402B是BVDSS=30V，ID=2.0A，RDSON=86mΩ是快速切换Mosfets。提供SOT23封装。矽源特ChipSourceTek-CST3402B是一款高效能、低功耗的N沟道MOSFETs，采用先进的沟槽技术，具有高单元密度。其BVDSS为30V，ID为2.0A，RDSON为86mΩ...
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