SOT23-6双N沟道低压MOS管--AP9926 MOS管是场效应管(FET),场效应管是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称,由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,也称为单极性场效应管,是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件,场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命...
封装 SOT23-6 批号 最新 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 7.5V 长度 4.9mm 宽度 3.7mm 高度 2.4mm 可售卖地 全国 型号 GL4N04-D6 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
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本产品的应用范围是振荡,品牌是晶群,型号是GC8205,材料是硅(Si),封装形式是SOT23-6 所属分类:中国电子元件网 / 振荡三极管本页链接:http://product.11467.com/info/3034097.htm GC8205 锂电池保护 MOS管 SOT23-6双N沟道增强型 全新原装的文档下载: PDF DOC TXT 关于深圳市福田区新亚洲电子市场二期硕联达...
接下来，我们重点讨论一下无线充低压MOS管3G03 SOT23-6。这款MOS管是一款低压、小封装、高性能的场效应管。其额定电压为30V，封装形式为SOT23-6，这意味着它可以在较低的电压下工作，并且具有较小的体积，适合在空间有限的电路板上使用。此外，3G03还具有N+P沟道的特点，这使得它可以在不同的电路配置中灵活应用...
56STS8205-VB 是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。它具有低漏电流和高效能的特性,适合用于需要控制和调节电流的电子电路设计。采用Trench技术制造,提供优良的导通特性和可靠性。 ### 二、56STS8205-VB 详细参数说明 - **封装类型**:SOT23-6
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一、产品简介:CEH2316-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。它具有正压 30V、电流 6A 和 RDS(ON) 为 30mΩ@VGS=10V 的特性。丝印为 VB7322,具有 VGS=20V 和阈值电压 Vth=1.2V。二、详细参数说明:- 型号: CEH2316-VB - 品牌: VBsemi - MOSFET 类型: N-Channel...
4STS8816-VB 是一款双 N+N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT23-6 封装。它具有低漏极-源极电压(20V)和中等电流处理能力,适合于小功率应用场合。 ### 4STS8816-VB 详细参数说明 - **封装形式**: SOT23-6 - **配置**: 双 N+N-沟道 ...