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- 在消费电子产品如数码相机、便携式音频设备等的电源管理电路中,该MOSFET可以用于功率开关和电池管理功能。 3. **汽车电子**: - 在汽车电子系统中,8205C-VB 可以用于车载电子设备的电源控制和管理,如车载充电器、LED照明控制等。 4. **工业控制和自动化**: - 在工业控制和自动化系统中,该器件适用于小功率...
### 一、3STS8235-VB 产品简介 3STS8235-VB是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。该产品具有20V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),0.5~1.5V的阈值电压(Vth),以及6A的漏极电流(ID)。3STS8235-VB采用沟槽技术,提供高性能和可靠性。 ### 二、3STS8235-VB 详细参数说明 | 参数 | 数值 | |...
接下来，我们重点讨论一下无线充低压MOS管3G03 SOT23-6。这款MOS管是一款低压、小封装、高性能的场效应管。其额定电压为30V，封装形式为SOT23-6，这意味着它可以在较低的电压下工作，并且具有较小的体积，适合在空间有限的电路板上使用。此外，3G03还具有N+P沟道的特点，这使得它可以在不同的电路配置中灵活应用...
封装 SOT23-6 批号 最新 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 7.5V 长度 4.9mm 宽度 3.7mm 高度 2.4mm 可售卖地 全国 型号 GL4N04-D6 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
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一、产品简介:CEH2316-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。它具有正压 30V、电流 6A 和 RDS(ON) 为 30mΩ@VGS=10V 的特性。丝印为 VB7322,具有 VGS=20V 和阈值电压 Vth=1.2V。二、详细参数说明:- 型号: CEH2316-VB - 品牌: VBsemi - MOSFET 类型: N-Channel...
AO6700-VB是一款双N+N沟道增强型MOSFET,采用Trench工艺技术制造,适合低压负载开关和功率管理应用。该器件封装为SOT23-6,具有20V的漏极-源极电压(VDS),适合需要高效能管理和电流控制的电路设计。 ### 二、AO6700-VB 详细参数说明 - **封装形式**:SOT23-6 ...
AFN6562TS6RG-VB是一款双N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,设计用于低压和中功率的应用场合。其优秀的导通特性和小封装尺寸使其特别适合需要高性能和空间紧凑的电子电路设计。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: SOT23-6 - **配置**: 双N沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 20V ...