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- 封装:SOT23 - 沟道类型:N-Channel - 额定电压:60V - 额定电流:4A - 静态漏极电阻(RDS(ON)):85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 阈值电压(Vth):1~3V **产品说明:** VBsemi 3N06-VB是一款N-Channel沟道类型的功率MOSFET,具有60V的额定电压和4A的额定电流。其低静态漏极电阻(RDS(ON))表明在不同的电压...
封装 SOT23 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆 型号 HC310 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...
UT3N06G-AE3-R-VB是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET,设计用于SOT23封装。该器件适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。 主要特点与规格: 1. TrenchFET技术:采用TrenchFET结构,这种技术通过在硅片上挖掘细小的沟槽来增加表面积,从而降低RDS(ON),提高MOSFET的效率和性能。 2. 低RDS(ON):在10V的栅极电压下,RDS(ON)...
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HM3N10MR-VB是一款N-Channel沟道功率场效应晶体管,采用SOT23封装。其在10V和20V时的低导通电阻(RDS(ON))为246mΩ,具有100V的最大电压承受能力,最大电流为2A,阈值电压为2V。这使得该产品适用于多种应用场景。 示例应用: 1. **电源开关模块**: HM3N10MR-VB的高电压承受能力和低导通电阻使其成为电源开关模...