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这款MOS管是一款低压、小封装、高性能的场效应管。其额定电压为30V,封装形式为SOT23-6,这意味着它可以在较低的电压下工作,并且具有较小的体积,适合在空间有限的电路板上使用。此外,3G03还具有N+P沟道的特点,这使得它可以在不同的电路配置中灵活应用。在无线充电领域,无线充低压MOS管3G03 SOT23-6发挥着...
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8205S8205A场效应管MOS管sot23-6全新原装现有1盘3000个 深圳市极致微科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 CPH6614-TL-E 封装SOT23-6 场效应管全新现货可拍 深圳市福田区新亚洲电子市场源洲电子商行9年 月均发货速度:暂无记录 ...
- 导通电阻:20mΩ / 70mΩ @4.5V, 29mΩ / 106mΩ @2.5V - 门源电压:20Vgs (±V) - 门阈电压:0.71V / -0.81Vth - 封装:SOT23-6 应用简介: FDC6420C-NL是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±20V,最大电流为7A / -4.5A,具有低导通电阻和高性能。
610Z-VB是一款单P沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,适用于低功率开关和驱动电路。它具有-30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及-1.7V的门限电压(Vth)。其导通电阻(RDS(ON))在不同栅极-源极电压下为54mΩ(在VGS=4.5V时)和49mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为-4.8A。采用Trench技术...