当把SOT23 等非常小的封装用于较高功率时,第一个大问题是实际裸片尺寸,第二个大问题是封装的热耗散。SOT23-6 并不是一种非常低温阻的封装。SOT23-6 封装从接头到周围环境的典型热阻是 265 开尔文/瓦。如果这种器件工作于室温,那么它能达到的最大功耗大约是 380mW。请记住,多数应用需要工作在远高于室温的温度下...
FH48104 芯片的结温最大为160℃，存储温度为-65~150℃，符合工业级温度要求。结壳热阻为34℃/W，结...
- **阈值电压(Vth)**:1.2V - **封装**:SOT23-6 - **工作温度范围**:-55°C 至 150°C - **热阻(结到环境)**:83°C/W - **最大脉冲漏极电流(IDM)**:24A TSM3424CX6 RF-VB.pdf ## 三、应用领域和模块示例 ### 1. 便携式电子设备 TSM3424CX6-RF-VB MOSFET特别适合用于便携式电子设备中...
当把sot23 等非常小的封装用于较高功率时,第一个大问题是实际裸片尺寸,第二个大问题是封装的热耗散。sot23-6 并不是一种非常低温阻的封装。sot23-6 封装从接头到周围环境的典型热阻是 265 开尔文/瓦。如果这种器件工作于室温,那么它能达到的最大功耗大约是 380mw。请记住,多数应用需要工作在远高于室温的温度下...
NTGS3443T1G-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOT23-6封装。这款MOSFET的主要特点包括无卤素设计,符合IEC 61249-2-21标准,以及采用了TrenchFET技术,这使得它具有更高的开关性能和更低的导通电阻。 在电气特性方面,NTGS3443T1G-VB的漏源电压(VDS)最大为-30伏特,这意味着...
工作温度TA:-40℃~+85℃ 结温:150℃ 贮存温度:-65℃~150℃ 功耗PD(TA=25℃)SOT23-6封装(热阻θJA=200℃/W):625mW 焊接温度(锡焊,10秒):260℃ 电气参数 电压检测阈值及延迟时间 (除非特别注明,典型值的测试条件为:VDD=3.6V,TA=25℃。) 典型应用电路图 各状态之间的转换图 封装信息 SOT23-6发送...
FH48104 芯片的结温最大为160℃,存储温度为-65~150℃,符合工业级温度要求。结壳热阻为34℃/W,结至环境的热阻为180℃/W,散热性能较好。 极佳兼容:TPS560430、MP2456、BD9677G、SY8401ABC、MP2457,无需修改PCB Layout,直接Pin to Pin使用。 ■应用电路图 ...
封装 SOT23-6 批次 22+ 应用 建筑,工业,环境照明,等 数量 20000 最大结温 150°C VLED -0.3V to 19V 工作温度范围 -40°Cto 85°C FB,DRV,DIM -0.3V to VIN 存储温度 -65°Cto 150°C 焊接温度(10秒) 260°C 热阻 300°C/W 输入电压范围 2.7V~6.5V UVLO阈值 1.8V~2.65V...
42 172 ms tOCP 过流延时时间 5 22 ms tSCP 短路延时时间 110 180 250 us 过热保护 TOTP Thsy 过热保护阈值 迟滞温度 - 160 - ℃ - 40 - ℃注 1:要考虑到封装的热阻,要不会产生过热保护,SOT23-6 封装负载电流小于 1.5A,DFN6(2*2)封装 芯片肚子没有跟 PCB 的铜皮焊接散热,负载电流小于 1.5A. ...
SOT23-6并不是一种热阻非常低的封装,该封装从芯片的管脚焊盘到外部环境的典型热阻是265K/W。如果这种器件工作于室温,那么它能实现正常散热的功耗大约是380mW。然而值得注意的是,多数应用需要工作在远高于室温的温度下,因此能达到的最大功耗将比380mW低很多,80℃的环境温度所允许的最大功耗降至大约170mW。