贮存温度:-65℃~150℃ 功耗PD(TA=25℃)SOT23-6封装(热阻θJA=200℃/W):625mW 焊接温度(锡焊,10秒):260℃ 电气参数 电压检测阈值及延迟时间 (除非特别注明,典型值的测试条件为:VDD=3.6V,TA=25℃。) 典型应用电路图 各状态之间的转换图 封装信息 SOT23-6发送...
当把sot23 等非常小的封装用于较高功率时,第一个大问题是实际裸片尺寸,第二个大问题是封装的热耗散。sot23-6 并不是一种非常低温阻的封装。sot23-6 封装从接头到周围环境的典型热阻是 265 开尔文/瓦。如果这种器件工作于室温,那么它能达到的最大功耗大约是 380mw。请记住,多数应用需要工作在远高于室温的温度下...
NTGS3443T1G-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOT23-6封装。这款MOSFET的主要特点包括无卤素设计,符合IEC 61249-2-21标准,以及采用了TrenchFET技术,这使得它具有更高的开关性能和更低的导通电阻。 在电气特性方面,NTGS3443T1G-VB的漏源电压(VDS)最大为-30伏特,这意味着...
采用SOT23-6封装 ASDM6802ZC应用程序 PWM应用 负载开关 电源管理 ASDM6802ZC产品摘要 V DS 30 v R DS(开),VGS=10V时zui大值 45 MΩ ID 4.5 a ASDM6802ZC介绍 A. 功耗PD基于TJ(MAX)=150°C,使用≤10s结至环境热阻。 B. 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值基于低频和占空比,以保...
结壳热阻为34℃/W,结至环境的热阻为180℃/W,散热性能较好。 极佳兼容:TPS560430、MP2456、BD9677G、SY8401ABC、MP2457,无需修改PCB Layout,直接Pin to Pin使用。 ■ 应用电路图 ■ 引脚分布 ■ 电气特性 ● 600mA连续输出电流能力 ● 4.5V至60V的宽输入范围 ● 集成80V,550mΩ高压侧和80V,350mΩ低压...
SOT23-6并不是一种热阻非常低的封装,该封装从芯片的管脚焊盘到外部环境的典型热阻是265K/W。如果这种器件工作于室温,那么它能实现正常散热的功耗大约是380mW。然而值得注意的是,多数应用需要工作在远高于室温的温度下,因此能达到的最大功耗将比380mW低很多,80℃的环境温度所允许的最大功耗降至大约170mW。
RθJC 结到管壳的热阻 8.1 TSTG 存储温度 -55~150 ℃ TJ 工作结温 -55~150 电池保护用NMOS管5N10的电特性: (如无特殊说明,TJ=25℃) 符号 参数 MIN值 TYP值 MAX值 单位 BVDSS 漏极-源极击穿电压 100 107 V RDS(ON) 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A 100 135 mΩ 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V...
RθJC结到管壳的热阻85 TSTG存储温度-55~+150℃ TJ工作结温-55~+150 快充用N+NMOS管 10H03的电特性: (如无特殊说明,TJ=25℃) 符号 参数MIN值TYP值MAX值单位 BVDSS漏极-源极击穿电压3033 V RDS(ON)静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A 1824mΩ ...
而最大结脚热阻RthJF在稳态下为40°C/W。 - 温度范围:操作和存储的温度范围是-55°C到150°C。 此外,器件的静态参数如漏源击穿电压VDS(在VGS=0V,ID=250μA时为30V),以及VDS随温度变化的系数等,都是衡量MOSFET稳定性和安全工作区的重要指标。 在使用NTGS4141NT1G-VB时,需要注意的是,虽然它有较高的绝对...
AH8601采用了极小型的封装设计,如SOT-23或QFN等,这种紧凑的封装形式为PCB布局节省了大量空间,对于追求小型化、轻量化的电子产品设计而言至关重要。同时,小封装也意味着更低的热阻,有助于芯片散热,进一步提高系统的可靠性和稳定性。 在布局设计时,设计师需要特别注意输入电容和输出电容的选择与摆放位置,以确保良好的...