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- 封装: SOT23 应用简介: VBsemi的SI2304BDS-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,适用于低电压、小功率的应用场景,广泛应用于各种电子系统和模块,提供高效的功率控制和开关性能。 **主要特点:** 1. 适用于低电压工作环境,额定电压为30V。
- **封装类型:** SOT23- **沟道类型:** N-Channel- **电压等级:** 30V- **电流容限:** 6.5A- **导通电阻:** RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- **阈值电压:** Vth=1.2~2.2V **应用简介:**VB1330是VBsemi品牌推出的SOT23封装型N-Channel MOSFET,具有高性能和多领域应用特性。 **应用...