静电保护器SOT23封装参数型号规格书大全 Transient Voltage Suppressors Array for ESD Protection Low Capacitance Revision January 06, 2014 1 / 3 SOT-23 The ESD05V23T-2L is designed to protect voltage sensitive components from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low ...
VDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A mos管2300引脚实物图 mos管2300引脚尺寸图 MOS管2300 6A20V SOT23-参数 产品型号:KIA2300 工作方式:6.0A/20V 漏源电压:20V 栅源电压:±10A 漏电流连续:6.0A 脉冲漏极电流:20A 耗散功率:1.25W 热电阻:100℃/V 漏源击穿电压:20V 栅极阈值电压:0.5V 输入电容:...
3401采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(on),低栅极电荷工作电压低至2.5V。该器件适用于作为负载开关或PWM应用程序。标准产品KIA3401是无铅(符合ROHS和索尼259规格)。KIA3401为绿色环保产品。 3401场效应管代换,3401mos管规格书-参数 工作方式:-4.0A /-30V 漏源电压:-30V 栅源电压:±12A 漏电流连续:-4.0A 脉冲...
封装 SOT23-5 批号 19+ 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 80C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7.5V 长度 9.4mm 宽度 2.9mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 AT-108 深圳诚思涵科技有限公司是一家专业的电子元器件独立分销机构,多年以来坚持以诚...
IC DL0106 SOT23-6 的成本效益优势明显。该规格的 IC 易于安装和使用。它的质量控制标准严格。此 IC 的使用寿命较长。 IC DL0106 SOT23-6 的输出精度较高。其输入电压范围满足多种需求。这款 IC 的静电防护能力不错。它具有良好的散热性能。IC DL0106 SOT23-6 的封装材料质量上乘。该规格产品的稳定性得到...
> MMBT4401规格书SOT23 下载文档 收藏 打印 转格式 130阅读文档大小:686.37K2页35458625上传于2019-06-25格式:PDF TL431规格书SOT23 热度: HT50/HT33 SOT-23规格书 热度: LM78L12(SOT23) 热度: JIANGSUCHANGJIANGELECTRONICSTECHNOLOGYCO.,LTD SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors ...
SS8550 规格书 SOT23 《SS8550规格书SOT23.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《SS8550规格书SOT23.pdf(2页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。 hFE 1 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0 1 1 10 100 1000 0 0 0 5 1 0 1 5 2 0 2 5 3 0 3 5 4 0 4 5 5 0 0 20 40 60 80 100...
AP5P04MI -5A -40V SOT23-3场效应管规格书.pdf,AP5P04MI -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET The AP5P04MI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitab
HC3400 SOT23杭芯半导体MOS管产品规格书.pdf,HC3400 30VN-ChannelMOSFET General Description Features The HC3400 combines advanced trench MOSFET VDS 30V technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 5.8A extremely low RDS(ON). This devic
SOT23-6封装的8205,8205S芯片规格书8205A6.pdf,8205A6 Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTD N-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL DESCRIPTION The 8205A6 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate