封装 SOT-223 批号 2018+ 数量 146846 可售卖地 全国 类型 通信IC 型号 LM1117MPX-ADJ 本店铺由于型号品种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才拍,买家咨询的时候请说清楚(完整型号。封装。数量)以便我们及时报价,本店不接受拍下后仪价。本公司所销售的产品一切承诺给予客户,保证原厂正品...
BSP030-VB一..BSP030 参数:N沟道, 30V, 7A, RDS(ON) 25mΩ@10V, 38mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.5Vth(V), SOT223应用简介:BSP030是一款适用于中高功率应
STN4NF03L-..型号:STN4NF03L-VB品牌:VBsemi参数:- N沟道- 最大耐压:30V- 最大漏电流:7A- 静态导通电阻(RDS(ON)):25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (
应用简介: FDT3612-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,具有适中的漏电流、较高的漏电压、低导通电阻等特性。采用SOT223标准封装,适用于多种电子应用。 主要应用领域模块: 电源开关模块: 适用于电源开关模块,实现高效的电源控制和管理,尤其在低至中功率的应用中表现出色。 电流控制模块: 由于其适中的性能参数,可用...
BSP100-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为SOT223,专为中等电压和电流应用设计。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术,具有优异的电气性能和热管理特性。BSP100-VB在最大漏源电压30V的条件下,能够承受高达7A的漏极电流。其导通电阻在VGS=10V时为19mΩ,适合用于需要高效开关和稳定性能的电子系统。
封装 SOT223 批号 21+ 数量 35002912 NCE6005AR NCE3400 可售卖地 全国 型号 NCE6005AR NCE6005 NCE6005AR NCE6003 NCE3400 NCE6080K NCE0102 NCE0115K NCE2060K NCE3010S NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3416 NCE6075K 新洁能NCE代理正品,假一赔十可售样,可提供技术支持 一般特征:...
- 封装:SOT223应用简介:NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于低电压和低功率应用。它具有适中的电压额定值和电流承受能力,适合多种低功率电子设备。应用领域:1. **电源管理模块**:NTF3055-100T1G-VB可用于低功率电源管理模块,以实现电源开关和电池保护。2. **便携式电子设备**:在便携式电子设备中,如...
型号STN3NF06L丝印 VBJ1638品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 7A RDS(ON) 24mΩ @ 10V,27mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1V~3V 封装类型 SOT223应用简介 STN3NF06L(丝印 VBJ1638)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说...
型号 BTS4142N 技术参数 品牌: INFINEON 型号: BTS4142N 封装: SOT-223 批号: 22+ 数量: 50000 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 是 输出端数量: 1 Output 输出电流: 1.4 A 电流限制: 3 A 导通电阻—最大值: 200 mOhms 运行时间—最大值: 100 us 空闲时间—最大值: 150 ...
AP9477GK-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,适用于中功率电源管理和开关控制应用。它采用先进的Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性能。 ### AP9477GK-VB 详细参数说明 - **封装类型**: SOT223 - **配置**: 单N沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 60V ...