据台媒报道，台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报，携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%。台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线，并手握存储器、车用等市场订单，抢占MRAM商机。（财联社）
台湾《经济日报》消息,台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报,与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算构架,功耗仅其他类似技术的1%,为台积电抢攻AI、高效能运算(HPC)等当红商机增添动能。
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅为类似技术的1%。听TED演讲,看国内、国际名校好课,就在网易公开课
台湾《经济日报》消息,台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报,与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算构架,功耗仅其他类似技术的1%,为台积电抢攻AI、高效能运算(HPC)等当红商机增添动能。
据报道,台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报,携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算架构,功耗仅其他类似技术的1%。台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线,并手握存储器、车用等市场订单,抢占MRAM商机。(财联社)...