**型号:2306A-VB SOT89-3** VBsemi的2306A-VB SOT89-3是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有高效能和低导通电阻等特点,适用于各种低压电源电子应用场合。其SOT89-3封装适合小型电路设计,具有良好的散热性能和可靠性。 ### 二、详细参数说明 - **封装类型**:SOT89-3 - **配置**:单N...
一、产品简介:J361-VB是一款P沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有-30V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大-5.8A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为50mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为-0.6~-2V。该器件采用SOT89-3封装。
2SJ561-VB是一款P-Channel沟道的SOT89-3封装的MOSFET晶体管。它具有以下参数:1. 工作电压:30V;2. 最大电流:5.8A;3. RD(阈值电压)在导通状态下的电阻值:50mΩ;4. 导通电压(VGS):10V;5. 截止电压(VGS):20V;6. 阈值电压(Vth):在导通状态下,范围为-0.6~-2V
2SJ517-VB是一款P-Channel沟道的SOT89-3封装的MOSFET晶体管。它具有以下参数:- 工作电压范围:30V- 最大漏电流:5.8A- 导通电阻(RDS(ON)):50mΩ- 阈值电压(VGS):10V时为20V- 阈值电压(Vth):-0.6~-2V这款MOSFET晶体管适用于需要高耐压和大电流的应用场合,如电源管
基本上是没多大区别的 耐温上面是有区别的 我公司是一家IC设计公司 电源方面的也比较多并且比AZ的要便宜 0 回复 yuyan LV.9 3 2009-01-08 18:38 @kallo 基本上是没多大区别的耐温上面是有区别的我公司是一家IC设计公司电源方面的也比较多并且比AZ的要便宜 有没有AZ的性能好,现在需要的温度在-40 到+95...
加载更多 2SK1470一款SOT89-3封装MOSFET替代型号参数讲解与应用领域分析 VBsemi微碧半导体 发布于:广东省 2023.09.26 09:34 分享到 热门视频 02:17 妹子玩魔兽:赤脊山豺狼人好丑呐!妹子直接团灭了他... 04:21 妹子玩热血传奇:新妹我开心到哇塞!祖玛沃玛Duang的... 00:27 进厂找女朋友现实吗?现在进厂打...
一、产品简介:J190-VB是一款P沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有-60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大-5A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1~3V。该器件采用SOT89-3封装。二、详
**J481-VB** 是 VBsemi 品牌生产的 P-Channel 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。这款器件具有优秀的性能和可靠性,适用于各种低压、低功率的应用场合。 ### 参数说明: - **工作特性**: - 额定工作电压:-30V - 最大持续电流:-5.8A - 导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=10V、VGS=20V 时为 50mΩ ...
9451GG-VB是一款高性能的P-Channel沟道SOT89-3封装的MOSFET晶体管,具有出色的电气特性和可靠性。这款晶体管在-30V至+5.8A的工作范围内表现出色,RDS(ON)值高达50mΩ,即使在较高的栅源电压下也能保持良好的导通性能。其阈值电压范围为-0.6至-2V,适用于多种电子应用,包括功率转换、信号调节和低功耗设计。
2SJ616-VB是一款P-Channel沟道的SOT89-3封装的MOSFET晶体管。这款MOSFET晶体管的主要参数如下:1. 工作电压范围:30V;2. 最大电流承载能力:5.8A;3. RDDS(On)导通电阻:50mΩ;4. 阈值电压(Vth):在10V时为-0.6V,在20V时为-2V。这款MOSFET晶体管主要用于低功耗、高能