2. **电源适配器**:在各种类型的电源适配器中,2305A-VB SOT89-3可用作开关器件,提供高效率的功率转换,尤其适用于小型和便携式充电器。 3. **LED照明**:在LED照明应用中,2305A-VB SOT89-3可用作LED驱动器的开关器件,提供稳定的电流和高效的能量转换,适用于家用和商业照明。 4. **工业控制**:在工业控制...
一、产品简介:J190-VB是一款P沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有-60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大-5A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1~3V。该器件采用SOT89-3封装。二、详
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6~-2V (通常为-0.6至-2V) - **封装**: SOT89-3 ### 适用领域和模块 1. **电源管理**: J363-VB可用于低压电源管理模块,如充电管理、低功耗开关电源和DC-DC转换器。由于其P沟道特性,它适用于正电源开关和反相器。 2. **电池保护**: 在便携式设备和电池供电系统中...
9451GG-VB是一款高性能的P-Channel沟道SOT89-3封装的MOSFET晶体管,具有出色的电气特性和可靠性。这款晶体管在-30V至+5.8A的工作范围内表现出色,RDS(ON)值高达50mΩ,即使在较高的栅源电压下也能保持良好的导通性能。其阈值电压范围为-0.6至-2V,适用于多种电子应用,包括功率转换、信号调节和低功耗设计。
这款9435GG-VB是一款P-Channel沟道的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)元件,采用SOT89-3封装,适合于对功率密度和空间效率要求较高的电子设计应用。它的最大耐压为-3V,使得它能够处理负电压信号。其导通状态下的饱和压降(RDS(ON))在常规条件下为5mΩ,当VGS(栅源电压)为1V时性能表现良好,而当VGS提升到2V...
XC9111A281PR-G SOT89-3新的和原始的芯片都有库存。请与我们联系以获得优惠的报价。, You can get more details about XC9111A281PR-G SOT89-3新的和原始的芯片都有库存。请与我们联系以获得优惠的报价。 from mobile site on Alibaba.com
基本上是没多大区别的 耐温上面是有区别的 我公司是一家IC设计公司 电源方面的也比较多并且比AZ的要便宜 0 回复 yuyan LV.9 3 2009-01-08 18:38 @kallo 基本上是没多大区别的耐温上面是有区别的我公司是一家IC设计公司电源方面的也比较多并且比AZ的要便宜 有没有AZ的性能好,现在需要的温度在-40 到+95...
###产品简介型号:J205-VB丝印:VBI2338品牌:VBsemi封装:SOT89-3J205-VB是VBsemi推出的P沟道MOSFET产品。该器件具有-30V的额定电压和-5.8A的额定电流。采用P沟道MOSFET技术,具有低导通电阻和高性能特点。丝印标识为VBI2338,封装为SOT89-3,适用于各种应用场合。###详细参数
###产品简介型号:J381-VB丝印:VBI2338品牌:VBsemi封装:SOT89-3J381-VB是VBsemi生产的P沟道MOSFET产品。它具有-30V的额定电压和-5.8A的额定电流。采用P沟道MOSFET技术,具有低导通电阻和高性能的特点。丝印标识为VBI2338,封装为SOT89-3,适用于各种应用场合。###详细参数说
**封装:** SOT89-3 **通道类型:** P 沟道 **主要特性:** - 最大耐压:-60V - 最大电流:-5A - 导通电阻:58mΩ @ VGS=10V - 阈值电压:1~3V ### 详细参数说明: 1. **最大耐压:** -60V - 产品能够承受的最大负向电压,适用于负向电压较高的场合。