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RJK0451DPB-00#J5 SOT-669 场效应管(MOSFET) RJK0451DP 1个N道沟 封装规格SOT669 深圳市鸿杰芯科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 全新原装 PSMN2R2-30YLCSOT669集成IC 配单 可开票 深圳市福田区易信微电子商行11年 ...
品牌名称: 安世 厂家型号: PSMN2R4-30YLD 封装规格: LFPAK56(也称为SOT-669) 商品编号: NEXP00066用户评价(4000+) 商品参数 选型手册 购买须知 常见问题 全部 靠谱160+ 发货快 50+ 价格低 290+ 库存充足 40+ 原厂正品 130+ 免运费 20+ 产品批次新 20+ _wechat_I***737 评论时间: 2025-06-06 ...
封装/外壳 SC-100,SOT-669 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 HAT1072H-EL-E 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
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LFPAK56_POWER-SO8_SOT669_mk plastic, single-ended surface-mounted package; 4 terminals; 4.9 mm x 4.45 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28 SOT669 plastic, single-ended surface-mounted package; 4 terminals Package information 2025-03-20 SOT669_115 LFPAK56; Reel pack for SMD, 7";...
915310E-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用 SOT669 封装。该器件具有 100V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为±20V,和典型的阈值电压(Vth)为 1.4V。915310E-VB 采用了先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 13.92mΩ,在 VGS=10V 时为 11.6mΩ。这使得它能够在高电流...
VBsemi MOSFET型号 72560E-VB,采用SOT669封装,是单通道N沟道MOSFET。其主要特性包括60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,可正负),1~3V的阈值电压(Vth),以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻(RDS(ON)):7.8mΩ @ VGS=4.5V 和 6.2mΩ @ VGS=10V。其最大漏极电流(ID)为64A,采用Trench技术...