采用SOT -363表面贴装器件 包。该系列提供了一个 多种规格和 包配置,以提供 设计师很大的灵活性。典型 这些肖特基应用 二极管混频,探测, 开关,采样,夹紧, 和波形整形。 1 2 3 1 2 L 常见 阳极QUAD 6 5 4 M 3 桥 四 6 5 4 1 2 N 3 1 2 P 3 6 环 四 5 4 引脚连接和 包装标志 1 6 5...
封装类型SOT-363 高度0.8mm 晶体管类型NPN,PNP 宽度1.25mm 每片芯片元件数目2 引脚数目6 最大发射极-基极电压5 V 最大功率耗散250 mW 最大集电极-发射极饱和电压0.3 V 最大集电极-发射极电压50 V 最大连续集电极电流100 mA 最高工作温度+150 °C ...
封装类型 SOT-363 高度 1mm 晶体管类型 NPN,PNP 晶体管配置 隔离式 宽度 1.35mm 每片芯片元件数目 2 引脚数目 6 最大发射极-基极电压 10 V 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V 最大集电极-发射极电压 50 V 最大连续集电极电流 100 mA 最低工作温度 -65 °C 最高工作温度 +150 °C ...
封装类型SOT-363 高度0.8mm 晶体管类型NPN,PNP 晶体管配置隔离式 宽度1.25mm 每片芯片元件数目2 引脚数目6 最大功率耗散250 mW 最大集电极-发射极饱和电压0.3 V 最大集电极-发射极电压50 V 最大连续集电极电流100 mA 最高工作温度+150 °C 最小直流电流增益70 ...
封装类型SOT-363 高度0.8mm 晶体管类型NPN 晶体管配置隔离式 宽度1.25mm 每片芯片元件数目2 引脚数目6 最大功率耗散250 mW 最大集电极-发射极饱和电压0.3 V 最大集电极-发射极电压50 V 最大连续集电极电流100 mA 最高工作温度+150 °C 最小直流电流增益30 ...
从创唯电子在线订购Infineon BCR35PNH6433 双 NPN,PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 SOT-363封装 BCR35PNH6433或其他数字晶体管并指定次日送货,可享受一流服务和大量电子元件享有更佳价格
Infineon BCR10PNH6327 双 NPN,PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装 制造商零件编号: BCR10PNH6327 制造商: Infineon 库存编号: 827-0005 声明:图片仅供参考,请以实物为准! 美国1号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,...
Infineon BCR22PNH6433 双 NPN,PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装 制造商零件编号: BCR22PNH6433 制造商: Infineon 库存编号: 857-8346 声明:图片仅供参考,请以实物为准! 美国1号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠...
封装类型SOT-363 高度0.8mm 晶体管类型NPN,PNP 晶体管配置隔离式 宽度1.25mm 每片芯片元件数目2 引脚数目6 最大功率耗散250 mW 最大集电极-发射极饱和电压0.3 V 最大集电极-发射极电压50 V 最大连续集电极电流100 mA 最高工作温度+150 °C 最小直流电流增益30 ...