封装 SOIC-8 输出电流 650 mA Pd-功率耗散 750 mW 最小工作温度 -45 最大工作温度 125 电源电压-最大 17 V 上升时间 50 ns 下降时间 30 ns 品牌 ST 型号 L6385ED013TR 电源电压-最小 - 300 mV STMicroelectronics STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器STMicroelectronics L638xE...
价格 ¥ 27.00 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 传感器 、 温度传感器 商品关键词 SMT172、 SOIC、 8L塑封、 数字输出温度传感器、 温度探头针、 荷兰Smartec品牌 商品图片 商品参数 品牌: Smartec 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...
SI4435DY 场效应管 VISHAY 封装SOP-8 批次20+ ¥ 0.74 6N139S-TA1-L 电子元器件 LTV 封装SOP 批次20+ ¥ 0.50 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: AOS 封装: SOIC-8L 批号: 22+ 数量: 11000 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - ...
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LTA4580XS8/R8-原装SOIC-8L 已售少于100 ￥2.95点击查看更多配送: 广东广州至 北京东城 快递: 23.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货 破损包退查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 wsdz 图文详情 0 本店推荐 SCR0402F1K1 -[原装贴片电阻0402 ¥[1_7ij1w4...
封装 SOIC-8L 批号 2019+ FET类型 MOSFET 漏源电压(Vdss) -30V 漏极电流(Id) -8V 漏源导通电阻(RDS On) 10V=32豪欧 4.5V=55豪欧 栅源电压(Vgs) 20V 栅极电荷(Qg) 6.7nC 反向恢复时间 15ns 最大耗散功率 3100 配置类型 1 工作温度范围 -55-150度 安装类型 贴片 应用领域 3C数码,医疗电子,物联网...
品牌: AOS/万代 封装: SOIC-8L 批号: 19+ 数量: 7183 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 30V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 3.1W(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴...
封装: SOIC-8L 批号: 22+ 数量: 14056 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 7.5V 长度: 5.4mm 宽度: 5.4mm 高度: 1.1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,...
SST401 SOIC 8L由ADI(亚德诺)设计生产,立创商城现货销售。SST401 SOIC 8L价格参考￥12.88。ADI(亚德诺) SST401 SOIC 8L参数名称:FET类型:2个N沟道;栅源击穿电压(V(BR)GSS):50V;耗散功率(Pd):300mW;输入电容(Ciss):4pF@15V;工作温度:-55℃~+125℃。下载SST401 SOI
品牌名称ADI(亚德诺) 商品型号LS3958 SOIC 8L 商品编号C3752994 商品封装SOIC-8 包装方式 管装 商品毛重 0.15克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 结型场效应管(JFET) FET类型 2个N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS) 60V 属性参数值 功率(Pd) 400mW 输入电容(Ciss@Vds) 6pF@...