1.一种单晶硅局域SOI衬底的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括步骤:1)提供一硅衬底,在所述硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽;2)于所述局域SOI区域槽及所述硅衬底表面沉积介质层,并进行化学机械抛光工艺形成平坦表面,所述平坦表面显露所述硅衬底表面;3)沉积非晶硅层于所述硅衬底及所述介质层表面,并通过热退火固相...