16日,业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变,对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。 据悉,SOCAMM被誉为新一代HBM(高带宽存储器),是系统级芯片高级内存模块的缩写,这是一种尖端的DRAM内存模块,可极大增强个人AI超级计算机的性能。 与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模...
业内人士2月16日证实,英伟达正在与三星电子和SK海力士等主要存储半导体公司进行秘密谈判,合作将“SOCAMM”新型内存标准商业化,该标准被誉为“新一代HBM(高带宽存储器)”。标志着内存半导体领域的重大转变,对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备AI领域都有潜在影响。 SOCAMM是系统级芯片高级内存模块的缩写,是一种尖端的DRAM...
节省功耗:与 DDR 相比,具有内存封装的 Versal HBM 系列可节省高达 65% 的功耗 (pJ/bit)3,使其更易于实现设计的供电和冷却。 获得PCB设计灵活性:集成型内存较之 DDR 占用空间更少;一个 Versal HBM 自适应 SoC 可替代多达 24 个分立式 LPDDR4 组件。这有助于为电路板实现更多功能而释放空间,并让系统架构师...
添加高带宽内存(HBM) 设备的驱动程序,它将提供 用户空间接口用于打开/关闭HBM设备。在鲲鹏服务器中, 我们需要控制 HBM 设备的功率,因为它们可能非常耗电 只会在一些特殊的场景下使用,比如HPC。HBM 插座中的存储设备处于同一电源域中,并且应该 同时关闭/打开电源。 HBM 设备将配置ACPI设备 ID“PNP0C80”,并...
HBM是一种使用了3D堆叠架构和硅通孔技术的动态随机存储技术,主要用于高性能计算和AI领域,目前已发展到HBM3。 采用这个技术的 英伟达H100 NVL显卡,最大带宽能达到7800GB/s。 但是HBM的缺点就是太贵,汽车领域无法承受这么高的成本。 GDDR可以算是廉价版的HBM,主要用于显卡领域,目前发展到GDDR6x,例如英伟达最新的RTX...
SoC 性能是市场上的关键竞争优势,协议 IP 和互连的选择和配置旨在最大限度地提高所述性能。一个典型的例子是使用 HBM(高带宽内存)技术和内存控制器。目前在第三代, HBM 拥有高性能, 同时使用更少的功率, 比DDR小得多的外形.也就是说,团队如何确保在其 SoC 设计的上下文中交付性能?
众多企业持续投资服务器建设，将继续推动存储器市场增长，特别是DRAM，不止AI，通用型服务器需求在复苏，加上DRAM供应商的HBM生产比重进一步拉高，涨价难以避免，第三季度，DRAM均价将持续上涨，涨幅有望达到8%~13%。SSD方面，AI应用订单会继续增长，但消费类电子需求相对较少，加上原厂下半年会加大增产幅度，使得第...
· 静态电流（IDDQ）测试：测量芯片在静态条件下的电流，以检测漏电流和短路故障。· 低功耗模式测试：在不同低功耗模式下测量芯片的电流消耗。6、电磁干扰测试：· 静电放电（ESD）测试：通过人体放电模型（HBM）、机器放电模型（MM）等方法测试芯片对静电的耐受性。SOC测试是保证芯片质量和性能的关键步骤。随着SOC...
系列:Versal™ HBM Series HBM DRAM:8GB 总块RAM:89Mb UltraRAM: 366Mb 总PL 内存:509Mb DSP 引擎:7,392 系统逻辑单元:3,837K LUT:1,753,984 应用处理单元:双核 Arm® Cortex®-A72,48 KB/32 KB L1 高速缓存(带奇偶校验和 ECC);1 MB L2 高速缓存(带 ECC ...
5.功耗：功耗测试包括静态电流（IDDQ）测试和低功耗模式测试，以确保芯片在不同模式下的能效。6.电磁干扰测试：包括静电放电（ESD）测试，通过人体放电模型（HBM）、机器放电模型（MM）等方法测试芯片对静电的耐受性。7.制造工艺：芯片设计的灵活性，支持后续的功能扩展和升级，适应未来技术的发展需求。8.外设I/O：...