简而言之，一个由CPU、总线、DDR及少量外设组成的系统，便可构成一个完整的SoC。由此可见，DDR在SoC中的地位不可撼动。欲了解更多关于DDR的深入解析，不妨参阅《DDR3全面解析》，它将引领你走进SoC的核心技术世界：memory子系统。通过深入学习，你将在短短1-2个月内，从零基础迅速掌握DDR3协议，理解DDR控制器的设...
高性能、高速、高带宽的互联和存储的性能需求日渐占据主流。掌握PCle协议和DDR协议可以有效地提升SoC的设计验证、FPGA的设计、亦或是系统级的开发效率。 今天移知小编就带大家了解一下高性能SoC的“双引擎”——DDR与PCIe。 一、何为SoC 1、 SoC概念与传统的FPGA/MCU单片机的优势 SoC是一种集成电路设计,将计算机系...
接下来是L1、L2和L3缓存，以及任何嵌入式SRAM（eSRAM）和系统级缓存（SLC），这些通常由SRAM实现。寄存器、缓存、eSRAM和SLC都集成在芯片上。历史上，主存储器（如DDR设备）位于芯片外，安装在印刷电路板（PCB）上。自2015年左右起，高端ASIC、ASSP和SoC开始集成高带宽存储器（HBM）——一种通过硅通孔（TSV）连接...
寄存器的选取:在DDR模块中,需要使用寄存器来存储配置参数和状态信息。因此,寄存器的选取对于DDR模块的性能和稳定性至关重要。应选取具有快速响应速度和低功耗的寄存器,以确保DDR模块的正常运行。 输入输出映射方式:DDR模块具有多种输入输出映射方式,包括位交织(Bit Interleaved)、字节交织(Byte Interleaved)等。不同的映射...
可以看到 DDR5 的理论带宽因为刷新命令密度需要增加一倍,所以低于 DDR4 的理论带宽。 延后刷新命令特性 延后刷新命令也就是灵活调度刷新命令(Refresh Operation Scheduling Flexibility )特性,可以将 N 个刷新命令延后发送,以增大两个刷新命令之间的间隔,不过还是需要保证这 N 个刷新命令之间的平均刷新间隔满足 tREFI。
存储子系统通常会采用DDR/LPDDR/HBM/GDDR等标准的大容量外部动态随机存储器,以及基于SRAM的静态高速片上存储器。外部设备接口IP的种类更加丰富,我们生活中接触到的各类总线都有机会出现在系统芯片中。这其中负责承担高性能系统扩展功能的有PCI Express(CXL/CCIX)、HBI等接口标准,它们可以实现高速外设、Die-to-Die或多...
51CTO博客已为您找到关于soc架构 DDR SRAM的相关内容,包含IT学习相关文档代码介绍、相关教程视频课程,以及soc架构 DDR SRAM问答内容。更多soc架构 DDR SRAM相关解答可以来51CTO博客参与分享和学习,帮助广大IT技术人实现成长和进步。
soc架构 DDR SRAM 内存soc 硬件编解码、硬件图像scale等过程,是在专有的硬件单元里进行,其使用的内存也是专有的内存,这种内存多是SoC中图形内存。如此方便与硬件加速图形渲染、图像显示、硬件图像加速处理等功能相交互。 上述过程在使用图形内存时,自然需要使用对应的图形内存管理API。常见的图形内存管理API有以下几种...
BL2: SPL(Secondary Program Loader),SPL在启动链中一般由bootrom加载而作为第二级启动镜像（bl2），它主要用于完成一些基础模块和ddr的初始化，以及加载下一级镜像uboot。BL33：最常见的是u-boot；这时候流程为：由于SPL需要被加载到SRAM中执行，对于有些sram size比较小的系统，可能无法放入整个spl镜像，TPL即是...
可以达到较高存储密度，并且写入和擦除速度也很快。NOR Flash的接口比较简单而NAND Flash的接口则要复杂得多。一般用的NAND，因此安全启动的流程学习中，我们看到镜像必须要搬运到DDR中才能运行。#存储器IC# 关注就送规格书或样片测试（样片测试：终端制造业厂家专享，需提供公司名称）最终解释权归我司所有。