S-V和Se-V两个表面的静电电位差分别为0.12和0.02 eV,而S-V和Se-V界面的静电电位差为2.34 eV,略小于SnC/HfS2 (2.48 eV)。如此大的电位下降有利于促进层间光生电子-空穴对的复合,抑制SnC和HfSSe层间的电荷转移,促进Z-scheme电荷转移路径的形成。 图2 异质结能带及电子分布 基于上述计算,S-V和Se-V的带...
S-V和Se-V两个表面的静电电位差分别为0.12和0.02 eV,而S-V和Se-V界面的静电电位差为2.34 eV,略小于SnC/HfS2 (2.48 eV)。如此大的电位下降有利于促进层间光生电子-空穴对的复合,抑制SnC和HfSSe层间的电荷转移,促进Z-scheme电荷转移路径的形成。 图2 异质结能带及电子分布 基于上述计算,S-V和Se-V的带...
S-V和Se-V两个表面的静电电位差分别为0.12和0.02 eV,而S-V和Se-V界面的静电电位差为2.34 eV,略小于SnC/HfS2 (2.48 eV)。如此大的电位下降有利于促进层间光生电子-空穴对的复合,抑制SnC和HfSSe层间的电荷转移,促进Z-scheme电荷转移路径的形成。 图2 异质结能带及电子分布 基于上述计算,S-V和Se-V的带...
S-V和Se-V两个表面的静电电位差分别为0.12和0.02 eV,而S-V和Se-V界面的静电电位差为2.34 eV,略小于SnC/HfS2 (2.48 eV)。如此大的电位下降有利于促进层间光生电子-空穴对的复合,抑制SnC和HfSSe层间的电荷转移,促进Z-scheme电荷转移路径的形成。 图2 异质结能带及电子分布 基于上述计算,S-V和Se-V的带...