- P—Channel沟道 - 工作电压:-30V - 最大电流:-11A - 导通电阻:RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V - 阈值电压:Vth=-1.42V **封装:** SOP8 **详细参数说明:** 该产品采用P—Channel沟道设计,工作电压为-30V,最大电流可达-11A。在VGS为10V和20V时,导通电阻为10mΩ。阈值电压为-1.42V,封装采用SOP8。
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部件名: SM4310PSKC-TRG. 功能描述: P-Channel Enhancement Mode MOSFET. 文件大小: 268.48 Kbytes. 制造商: Sinopower Semiconductor Inc.
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2024年9月,首都医科大学附属北京同仁医院杨金奎教授团队在Signal Transduction and Targeted Therapy杂志发表了一篇题为“Potassium voltage-gated channel subfamily H member 2 (KCNH2) is a promising target for 胰岛素 secretagogue thera...
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