易失性存储芯片断电后数据丢失,主要包括动态随机存储器 DRAM 和静态随机存 储器 SRAM,其中 DRAM 常用作内存,需求量高于 SRAM。SRAM 速度快但成本较 DRAM 高,一般用作 CPU 的高速缓存; 非易失性存储芯片断电后数据不会丢失, 主要包括闪存 FLASH MEMORY、电可擦除可编程只读存储器 EEPROM 等,其中 FLAHS 又可以...
[解读] 同是NAND Flash闪存(SSD)技术，MLC和SLC差距为何如此之大？ 直到现在，NAND闪存技术的发展，还是遵循传统的内存技术发展的轨迹，如SRAM、DRAM、EEPROM(EEPROM)等，在每个存储单元中存储一个二进制数据，然而这种类型的NAND技术现在被称为Single Level Cell或SLC。 在竞争中，为了追求更高的密度和更低...
存储芯片品类较多，各自技术原理不同。根据断电后能否保留存储的信息，半导体储存可以分为易失性存储器（VM，Volatile Memory）和非易失性存储器（NVM，Non-volatile Memory）。易失性存储器主要分为动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和静态随机存取存储器（SRAM，Static Random Access Memory），...
DRAM需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM 结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于 SRAM，但访问速度慢于 SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，功耗较SRAM 更高。DRAM 作为一种高密度的易失性存储器，主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能...
SRAM（静态随机存取存储器）使用六个晶体管构成一个存储单元。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快，尺寸更小。常用于芯片内部的高速缓冲存储器Cache。DRAM与SRAM对照表 DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）都属于DRAM，都是易失性存储器。不同点在于，LPDDR是低功耗版本，适合移动设备和...
固态硬盘的DRAM芯片主要是用来存储FTL闪存映射表的,这部分数据可以通过主控内集成小容量SRAM缓存并搭配NAND闪存交换来完成。在固件经过优化之后,无DRAM芯片的固态硬盘也可以发挥出理想的随机读写效能,譬如上图中的东芝TR200固态硬盘,在电脑配置足够的情况下,4K读取可以达到50MB/s以上。
直到现在,NAND闪存技术的发展,还是遵循传统的内存技术发展的轨迹,如SRAM、DRAM、EEPROM(EEPROM)等,在每个存储单元中存储一个二进制数据,然而这种类型的NAND技术现在被称为Single Level Cell或SLC。 在竞争中,为了追求更高的密度和更低的成本,每个单元存储多个二进制数据的新类型的闪存单元已经出现,这种类型的NAND闪存...
直到现在,NAND闪存技术的发展,还是遵循传统的内存技术发展的轨迹,如SRAM、DRAM、EEPROM(EEPROM)等,在每个存储单元中存储一个二进制数据,然而这种类型的NAND技术现在被称为Single Level Cell或SLC。 在竞争中,为了追求更高的密度和更低的成本,每个单元存储多个二进制数据的新类型的闪存单元已经出现,这种类型的NAND闪存...
和L1/2/3一样都是是CPU内部的高速SRAM缓存。nand SSD硬盘领域的SLC缓存(Single-Level Cell Cache)通过在TLC或QLC闪存芯片内部分区域模拟SLC工作模式,即每个存储单元仅存储1bit数据。这种方式能够极大提升写入速度,因为SLC的擦写速度远高于TLC。 梦游家 内牛满面 13 CPU缓存属于SRAM,和用于存储的NAND不是一个领域...
- 兆易创新:产品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。其中,NOR Flash全球排名第三,是其重点产品,在物联网等领域应用广泛;SLC NAND Flash主要用于对存储性能和数据完整性要求较高的企业级应用等;DRAM则处于加速布局阶段。 - 北京君正:存储芯片主要包括SRAM、DRAM和Nor Flash等。其拳头产品是车规级SRAM和DRAM,...