随着纳米技术的进步，NAND Flash已经从SLC发展到了MLC，进而到TLC，目前正朝着QLC的方向演进。NAND Flash因其大容量和快速写入等特点，在eMMC/eMCP、U盘、SSD以及汽车和物联网等领域得到了广泛应用。SLC（Single-Level Cell）技术特点在于其浮置闸极与源极之间的氧化薄膜更薄。在写入数据时，通过给浮置闸极施加电压...
1. 每个存储单元只存储 1 位数据。2. 具有最高的性能，读写速度快。3. 可靠性高，擦写寿命长（约 10 万次）。4. 成本相对较高，容量相对较小。MLC（Multi-Level Cell，多层单元）：1. 每个存储单元可存储 2 位数据。2. 读写速度比 SLC 稍慢，可靠性也稍低。3. 擦写寿命一般为 3000-10000 次。4. ...
华邦电子：SLC NAND Flash技术与市场表现 在NAND Flash领域，华邦电子（Winbond Electronics）将重点放在中小容量的SLCNAND Flash上，特别是在1Gb和2Gb容量区间，以适应高带宽、低功耗的应用场景。其产品以低功耗、高存储密度、高可靠性和易于集成等优势著称，采用标准化串行接口，便于嵌入式系统集成。技术创新方面，华邦...
针对MLC NAND Flash来说,在相同电压阈值窗口需要保持4个不同的状态数据,可用的阈值窗口大小相比SLC NAND Flash,约为其1/2。MLC NAND在编程机制、氧化层损坏程度跟SLC NAND是一样时,MLC NAND的程序/删除阈值窗口只有SLC NAND的1/2,这意味着MLC NAND Flash的“擦除窗口窄化”相比MLC NAND更早、更明显,如图3所示。
固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的U盘。NAND Flash根据存储原理分为三种,SLC、MLC、TLC。 SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,1个存储器储存单元可存放1 bit的数据,只存在0和1两个充电值。以此类推,TLC = Triple-Level Cell,即3 bit per cell,1个存储器储存单元可...
在NAND Flash领域,华邦电子(Winbond Electronics)将重点放在中小容量的SLCNAND Flash上,特别是在1Gb和2Gb容量区间,以适应高带宽、低功耗的应用场景。其产品以低功耗、高存储密度、高可靠性和易于集成等优势著称,采用标准化串行接口,便于嵌入式系统集成。技术创新方面,华邦不断推进制程技术升级,从46纳米迈向1x纳米,并采...
IT之家 11 月 15 日消息，国内存储企业江波龙昨日宣布，该公司自研 SLC NAND Flash（闪存）累计出货数量已达 1 亿颗以上。IT之家了解到，相较于目前零售 SSD 市场的主流 —— TLC / QLC 颗粒，SLC NAND 闪存以小容量为主，被广泛应用于网络通信设备、安防监控、物联网、便携设备等消费、工业及汽车等领域。...
江波龙充分发挥自身芯片设计能力，持续积极投入存储芯片设计业务，聚焦 SLC NAND Flash 等存储芯片设计。SLC NAND Flash存储器产品是应用于网络通信设备、安防监控、物联网、便携设备等消费、工业及汽车应用场景的小容量存储器。目前公司已有512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb共5种容量自研 SLC NAND Flash 存储芯片产品，分别...
8月 27 日至 29 日,江波龙携旗下行业类存储品牌 FORESEE 亮相 ELEXCON2024 深圳国际电子展,展示其在存储领域的最新技术成果。在此次展会上,江波龙首款 2xnm SLC NAND Flash 自研芯片产品首次亮相,再次体现了江波龙在技术创新之路的攀升;汽车电子、消费电子、智能穿戴和 AI 服务器四大主流市场的存储解决方案同台,呈现...
同时，江波龙还正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列产品，以创新技术满足市场对高性能、高可靠性的闪存需求，为PTM商业模式下的自研存储芯片注入了新动力。全新制程工艺 业界领先性能 新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技术层面实现了重大突破。产品采用2xnm工艺，不仅实现了业界领先的166MHz工作频率，而且在电路...