又称为五层式储存 ,即每单元存储可5bit信息(5bit/cell)。该闪存颗粒目前还没有正式产品发布。 可将闪存颗粒按照数据稳定性、速度以及价格排序为SLC>MLC>TLC>QLC>PLC,容量则相反SLC<MLC<TLC<QLC<PLC。
QLC每个单元可储存4bit数据,跟TLC相比,QLC的储存密度提高了33%。QLC不仅能经受1000次编程或擦写循环(与TLC相当,甚至更好),而且容量提升了,成本也更低。 优点:QLC总成本更低,进行存储时依靠更少驱动器来实现。此外,QLC还具有更多容量,储存密度高,从而获得更好的效益。 缺点:与SLC、MLC相比,QLC的性能和写入寿命有...
slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D...
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年; qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。 qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,...
固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据，里面存放数据最小单位叫作“Cell”，SLC每个cell可以存放1bit数据，MLC每个cell可以存放2bit数据，TLC每个cell可以存放3bit数据，而QLC可以存放4bit数据。QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比SLC（单层存储单元）全称是Single-LevelCell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，...
QLC = Quad-Level Cell,即4bit/cell。 相对于SLC来说,MLC的容量大了100%,寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说,TLC的容量大了50%,寿命缩短为MLC的1/20。 NAND闪存技术:2D NAND和3D NAND 在上文中,我们介绍了根据闪存颗粒内部电子数的不同,会分为SLC/MLC/TLC,而随着晶圆物理极限的不断迫近,固态硬盘上单...
顾名思义，SLC SSD 中的单元每个单元只能存储一位，MLC 存储两个，TLC 存储三个，QLC 存储四个。虽然这似乎是一种“越大越好”的情况，但情况并非如此。使用 QLC 驱动器增加容量（以相同的价格）是最容易的，因为对于相同的存储量，它们需要的单元数是 SLC 驱动器的 1/4。更大并不总是更好 将多个位写入...
、QLC闪存芯片的区别:SLC= Single-LevelCell,即1bit/cell,利用正、负两种电荷,一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。速度快,寿命长,价格贵(约MLC...%,寿命缩短为MLC的1/20。NAND闪存技术:2DNAND和3DNAND在上文中,我们介绍了根据闪存颗粒内部电子数的不同,会分为SLC/MLC/TLC,而随着晶圆物理极限的...
slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D工艺的tlc。
最新的QLC固态硬盘已经来了,但是有许多同学连先前的SLC,MLC,TLC都分不清楚,下面我给大家解释一下。 SLC:全称Single-Level Cell,每个Cell单元只存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低,成本高,毕竟一个...