- QLC:适用于预算有限且需要大量存储空间的用户,如数据存储密集但读取频率低的场景。 四、实际案例分析 以实际使用场景为例,某用户购买西部数据 SN500(TLC)和Intel 660P(QLC)两款SSD进行比较。在多项读写测试中,SN500在写入速度和稳定性方面表现更佳,而660P在读取QLC中表现较优,但在缓存耗尽后的写入速度大幅下降。
slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D...
slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D...
TLC 然后就是TLC,也是目前主流定位高端的固态硬盘大多采用的颗粒类型,它的全称为Trinary-Level Cell,也就是三层存储单元,顾名思义,它可以达到3bit/cell,数据存储成本更低,容量是SLC的3倍、MLC的1.5倍。而它的寿命也更低,单颗粒理论擦写次数在500-3000次。 QLC 最后就是QLC,目前绝大部分定位低端的固态硬盘都采用...
容量翻倍，三层单元（TLC）更能使容量变为三倍，基于这种发展，为SSD趋向⼤容量开辟了 道路。在性能、体积的优势基础上，NAND闪存⽬前发展的⽅向便是降低每⽐特存储成本、提 ⾼存储容量，因此就有了后来的四层单元（QLC），每个存储单元有4个bits的格式。但是，并⾮单元层数越多就越好，不同层级的单元...
QLC(Quad-Level Cell):四层单元闪存,每个单元存储4个比特的数据,存储密度最高,能够实现更大的容量。 TLC(Triple-Level Cell):三层单元闪存,每个单元存储3个比特的数据,存储密度次于QLC。 MLC(Multi-Level Cell):多层单元闪存,一般指的是双层存储,每个单元存储2个比特的数据,存储密度低于TLC。 SLC(Single-Level ...
slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次 1、生产成本上 slc>mlc>tlc>qlc 2、读写速度上 slc>mlc>tlc>qlc 3、在使用寿命上 slc>mlc>tlc>qlc 固态硬盘和U盘里的slc、mlc、tlc、qlc颗粒有什么区别?
性能对比:SLC > MLC > TLC > QLC。性能不仅受颗粒类型影响,还与主控芯片及缓存设计密切相关。有主控与独立缓存的固态硬盘能进一步提升性能。 应用场景推荐: SLC:适用于高负载、高可靠性需求的企业级应用,如服务器、数据库等。 MLC:适用于对性能与成本平衡有一定要求的高级用户,如游戏玩家及创意工作者。
顾名思义，SLC SSD 中的单元每个单元只能存储一位，MLC 存储两个，TLC 存储三个，QLC 存储四个。虽然这似乎是一种“越大越好”的情况，但情况并非如此。使用 QLC 驱动器增加容量（以相同的价格）是最容易的，因为对于相同的存储量，它们需要的单元数是 SLC 驱动器的 1/4。更大并不总是更好 将多个位写入...
五、四级单元（QLC）相较于TLC，QLC快闪记忆体的储存密度提高了33%，达到4bit/cell。尽管其性能和写入寿命略低于SLC和MLC，但与TLC相当甚至更优。此外，QLC还提供了更高的容量和更低的成本，非常适合作为资料仓库使用。如果您需要大量存储空间、对电脑使用较轻度或追求价格优势，QLC SSD将是一个不错的选择。1、...