SK海力士宣布,已经成功研发出新一代DRAM内存“HBM2E”,可视为HBM2的增强版,拥有业界最高的传输带宽,相比现在的HBM2提升了大约50%,同时容量也翻了一番。 SK海力士的HBM2E每个针脚传输速率为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽的话可以提供超过460GB/s的超高带宽,无可比拟。 AMD Radeon VII显卡曾经率先实现1TB/s的显存带宽,...
SK海力士的HBM2E具备大容量、高速度、低功耗的特点，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)芯片，从而做到单颗容量16GB，是上代HBM2的两倍，理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗单颗容量24GB。HBM2每个堆栈的数据率高达3.6Gbps(可理解为等效频率3.6GHz)，搭配1024-bit I/O，带宽可以轻松做到460GB/s，电压则...
SK海力士的HBM2E内存，其每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽，支持提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。同时，通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成16GB数据容量的单个密集封装。SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算...
SK海力士尚未公布更多的HBM2E内存信息。 SK海力士的HBM2E内存,其每个针脚传输速率为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽,支持提供超过460GB/s的超高带宽,无可比拟。同时,通过利用TSV(硅通孔)技术,最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片,形成16GB数据容量的单个密集封装。 SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案,支持需要...
SK海力士的HBM2E每个针脚传输速率为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽的话可以提供超过460GB/s的超高带宽。同时得益于TSV硅通孔技术,HBM2E内存可以最多垂直堆叠八颗16Gb芯片,单颗封装总容量因此可达16GB,是目前的两倍。超高带宽的HBM2E可用于工业4.0、高端GPU显卡、超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。不同于传统...
IT之家了解到，去年 8 月 SK 海力士宣布成功研发出新一代 DRAM 内存 / 显存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量产这一代 HBM2E 存储。图源 SK 海力士官网 官方称其 HBM2E 拥有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O（输入 / 输出）。HBM2E 通过 TSV（Through ...
近日,根据SK海力士官网显示,海力士目前已经研发出业内最高带宽产品HBM2E DRAM。相较于上一代HBM2产品,新一代HBM2E带宽增长接近50%,容量将近翻倍。 HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的速度性能以及1,024 数据的IOPs,所支持的带宽达每秒460GB。通过TSV技术,最多可以垂直堆叠8个16Gb的芯片,形成密度为16GB的单封装芯片。 HB...
SK海力士公司宣布,它已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与之前的HBM2相比,新款HBM2E拥有大约50%的带宽和100%的额外容量。SK Hynix的HBM2E支持超过460 GB(GB)每秒带宽,基于每个引脚的3.6 Gbps(千兆位/秒)速度性能,具有1,024个数据I / O(输入/输出)。通过利用TSV(硅通孔)技术,最多可垂直堆叠8个16...
SK海力士宣布,已经成功研发出新一代DRAM内存“HBM2E”,可视为HBM2的增强版,拥有业界最高的传输带宽,相比现在的HBM2提升了大约50%,同时容量也翻了一番。 SK海力士的HBM2E每个针脚传输速率为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽的话可以提供超过460GB/s的超高带宽,无可比拟。 AMD Radeon VII显卡曾经率先实现1TB/s的显存带宽...
【SK海力士宣布HBM2E内存:带宽最高460GB/s、容量翻番单颗16GB】SK海力士宣布,已经成功研发出新一代DRAM内存“HBM2E”,可视为HBM2的增强版,拥有业界最高的传输带宽,相比现在的HBM2提升了大约50%,同时容量也翻了一 O网页链接 û收藏 转发 评论 ñ赞 评论 o p 同时转发到我的微博 按...