SK 2026 SAS Scandinavian Airlines 航班狀態:登陸 出發 到達 1天前 1天前 18:27 19:25 12月7日星期六 12月7日星期六 航站樓 5 航站樓 1 阿爾蘭達 (ARN) 烏麥歐 (UME) 斯德哥爾摩, 瑞典 瑞典 飛行時間:0小時58分鐘 計劃時間 出發 到達
5月14日消息，SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器（HBM4E），较此前计划提前1年。SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭表示：“当前HBM技术已达新水平，同时代际更迭周期也在加快，第4代（HBM3）以2年为周期开发，而第5代（HBM3E）开始，由以往的2年变成了1年。”（韩国亚洲日报）
SK集团曾于今年5月宣布,到2026年将对以电池、生物、芯片为主的新动能产业投入247万亿韩元(约合人民币1.2753万亿元)【转发】@集微网官方微博:【#SK集团计划向美国制造业投资220亿美元#】路透社7月26日消息,韩...
IT之家 5 月 14 日消息，HBM 负责人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中声称当前业界 HBM 技术已经到了新的水平，行业需求促使 SK 海力士将加速开发过程，最早在 2026 年推出他们的 HBM4E 内存，相关内存带宽将是 HBM4 的 1.4 倍。除了 HBM4E 外，据IT之家此前报道，有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半...
4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将...
SK 海力士:2026 年采用混合键合 半导体 快讯摘要 SK海力士拟 2026 年在 HBM 生产中用混合键合,Genesem 已提供设备用于测试,可增加芯片堆叠和带宽。 快讯正文 【SK 海力士 2026 年计划在 HBM 生产中采用混合键合】目前,半导体封装公司 Genesem 已为 SK 海力士提供两台下一代混合键合设备,安装在其试验工厂用于测试...
IT之家 8 月 19 日消息,据韩媒 ZDNet Korea 报道,SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示,该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。 SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队,正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到...
8月 1 日,SK 海力士拟加速下一代 NAND 闪存开发,2025 年末完成量产准备,2026 年二季度大规模生产。 快讯正文 【8 月 1 日,SK 海力士加速下一代 NAND 闪存开发!】 据ETNews,SK 海力士计划在 2025 年末完成 400+层堆叠 NAND 的量产准备。 2026 年二季度将正式启动大规模生产。
SK海力士与台积电签署合作协议:2026年开始生产第6代高宽带内存 #芯片 #高宽带内存 #SK海力士 - 技术力量于20240419发布在抖音,已经收获了2.2万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
SK海力士：计划2026年量产HBM4 预计到2025年HBM市场规模将增长40% SK海力士副总裁Kim Chun-hwan日前透露，公司正在量产最高规格的HBM3，计划在今年上半年推出HBM3E，计划到2026年量产HBM4；预计到2025年，HBM市场规模将增长40%。本文源自：金融界AI电报