SK 2026 SAS Scandinavian Airlines 航班狀態:登陸 出發 到達 1天前 1天前 18:27 19:25 12月7日星期六 12月7日星期六 航站樓 5 航站樓 1 阿爾蘭達 (ARN) 烏麥歐 (UME) 斯德哥爾摩, 瑞典 瑞典 飛行時間:0小時58分鐘 計劃時間 出發 到達
5月14日消息，SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器（HBM4E），较此前计划提前1年。SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭表示：“当前HBM技术已达新水平，同时代际更迭周期也在加快，第4代（HBM3）以2年为周期开发，而第5代（HBM3E）开始，由以往的2年变成了1年。”（韩国亚洲日报）
据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。
SK集团曾于今年5月宣布,到2026年将对以电池、生物、芯片为主的新动能产业投入247万亿韩元(约合人民币1.2753万亿元)【转发】@集微网官方微博:【#SK集团计划向美国制造业投资220亿美元#】路透社7月26日消息,韩...
韩国SK集团近期宣布了一项投资计划，旨在到2026年筹集高达80万亿韩元（约合560亿美元）的资金，以加速其在人工智能（AI）和半导体领域的布局。SK集团透露，其高层管理团队经过讨论，一致决定通过提升盈利能力、优化业务架构及促进内部协同效应等手段筹集巨额资金。这笔资金将重点投向高带宽存储器（HBM）芯片研发、数据中心...
据Business Korea报道，SK海力士副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024的主题演讲中表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是...
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍 SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。本文源自：金融界AI电报
SK海力士正筹备在2026年引入混合键合技术至其HBM生产流程。该技术由半导体封装公司Genesem提供,已在其试验工厂安装两台下一代混合键合设备进行工艺测试。混合键合技术通过直接键合焊盘,省去了铜焊盘间的凸块和铜柱,从而允许芯片制造商堆叠更多芯片并显著增加带宽。
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4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将...