8Gb DDR4-3200内存颗粒本身并不新鲜，三星/SK Hynix/美光两年前就有类似的产品了，不过这次的8Gb DDR4内存芯片是1Ynm工艺，这是1Xnm工艺之后第二代10nm级DRAM工艺，三星、美光之前已经宣布过类似的产品，现在是SK Hynix试产新工艺了。在20nm节点之后，DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，所以有了1Xnm、1Ynm及...
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