金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是由栅信号(g > 0)控制的半导体器件,MOSFET器件与内部二极管并联,当MOSFET器件反向偏置(Vds < 0)且不施加栅信号(g=0)时,内部二极管打开。该模型由逻辑信号(g > 0或g =0)控制的理想开关和并联的二极管模拟。 无论漏源极电压是正的还是负的,当在栅输入端(g > 0)施加...
位置:Simscape/Power System/Specialized Technology/Fundamental Blocks/Power Electronics 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是由栅信号(g > 0)控制的半导体器件,MOSFET器件与内部二极管并联,当MOSFET器件反向偏置(Vds < 0)且不施加栅信号(g=0)时,内部二极管打开。该模型由逻辑信号(g > 0或g =0)控制的理想开...
Simulink电力电子仿真模块详细介绍 1、二极管 1.1、电路符号和静态伏安特性：1.2、模块图标：1.3、外部接口：二极管模块有2个电气接口和1个输出接口。2个电气接口（a,k）分别位于二极管的阳极和阴极。输出接口（m）输出二极管的电流和电压测量值（Iak、Vak），其中电流单位A，电压单位V。1.4参数设置：
27、值”(Snubber capacitance Cs)文本框:并联缓冲电路中的电容值,单位为F。缓冲电容值设为0时,将取消缓冲电容;缓冲电容值设为inf时,缓冲电路为纯电阻性电路。(7) “测量输出端”(Show measurement port)复选框:选中该复选框,出现测量输出端口m,可以观测MOSFET的电流和电压值。【例【例5.4】如图5-23所示,构建...
For forced-commutated devices (GTO, IGBT, or MOSFET), the bridge operates satisfactorily with purely resistive snubbers as long as firing pulses are sent to switching devices. 当系统是离散的,为了避免数值振荡,你需要为二极管和可控硅整流桥指定Rs CS缓冲值。对于强制整流器件(GTO、IGBT、或MOSFET),带...
、 (5)Initial current Ic:初始电流 (6)Snubber resistance Rs:缓冲电路电阻,缓冲电阻值为in 时将取消缓冲电阻 (7)Snubber capacitance Cs:缓冲电路电容值,单位F,当电容为0 时,取消缓 冲电容;设置 inf 时,缓冲电路为纯电阻性电路; (8)Show measurement port:测量输出端。 注意点:MOSFET 模块不能被离散化,...
由于电力电子器件在使用时一般都并联有缓冲电路，因此MATLAB电力电子开关模块中也并联了简单的RC串联缓冲电路，缓冲电路的阻值和电容值可以在参数对话框中设置，更复杂的缓冲电路则需要另外建立。有的器件(如MOSFET)模块内部还集成了寄生二极管，在使用中需要加以注意。由于MATLAB的电力电子开关模块中含有电感，因此有电流源...
1）建立模型 RbRcR1RaRbRcRaRcR2RaRbRcRaRbR2RaRbRc +VR2R3 Rd Re 2）根据模型编写M文件M文件为Ex11_1.m。3）根据模型用Simulink进行仿真Ex11_2.mdl选用的模块如下：–DCVoltageSource—理想直流电压源，位于SimPowerSystems节点下的...
(3) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框:并联缓冲电路中的电容值,单位为F。缓冲电容值设为0时,将取消缓冲电容;缓冲电容值为inf时,缓冲电路为纯电阻性电路。 (4) “电力电子开关”(Power Electronic device)下拉框:选择三电平桥式电路中的电力电子开关种类,有4种开关可供选择,即GTO-Diode、Mosfet...
In order to avoid numerical oscillations when your system is discretized, you need to specify Rs and Cs snubber values for diode and thyristor bridges. For forced-mutated devices (GTO, IGBT, or MOSFET), the bridge operates satisfactorily with purely resistive snubbers as long as firing pulses ...