Atlas 有能力解达 6 种 `carriers. 除此之处,Deckbuild 的 tty 区的状态信息的显示是通过虚拟 pseudo-model 模型 `print 使能的。 可使用 ` models 来选取: ` models cvt srh print numcarr=2 2. 定义栅接触到 n 型的多晶硅:`contact name=gaten.poly. 这定义了与栅配合的功函数。 3. 定义 Silicon/...
Silvaco中文学习手册.docx,4工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍怎样使用SILVACO企业的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS 来进行器件仿真。假设读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基本观点。 使用ATHENA的NMOS工艺仿真 概括 本节介绍
此篇文章介绍Silvaco TCAD中定义新型半导体材料Ga2O3及研究器件关态耐压不收敛问题。 在atlas用户手册中,Appendix B Material System章节中给出了详细的材料说明。当然说明越详尽,内容就越复杂,而且是英文的。…
2. 使用Atlas进行LDD MOS器件仿真,产生一个Id/Vgs曲线并从这条曲线中进行器件参数Vt,Beta和Theta的抽取。 1.1 要启动Deckbuild程序,在系统命令行中输入 deckbuild & 几秒钟后Deckbuild窗口显示出来。在Deckbuild启动后,你会看到如下的窗口(版本及目录名可能不相同): Deckbuild程序窗口组成如下: 1.上面的文本窗口区用...
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Atlas, Silvaco 的通用及标准组件的一,二,三级器件仿真器。 VWF 核心工具还包括器件特性的 UTMOS 应用及 SmartSpice 电路仿真。本章将学习: 1. 使用 Athena 进行一个简单 LDD MOS 器件仿真和相关参数的抽取(如栅氧化层厚)。2. 使用 Atlas 进行 L 6、DD MOS 器件仿真,产生一个 Id/Vgs 曲线并从这条曲线中...
在ATLAS中,提供了五种方式来定义低电场迁移率模型。 Ø1)直接型。通过参数MUN和MUP来设置电子和空穴的恒定迁移率,并且也可以选择参数TMUN和TMUP定义与温度的依赖关系。(A1) Ø2)查表型。使用参数CONMOB激活浓度依赖模型,该模型提供了300K下,不同掺杂浓度下所对应的低电场迁移率。但是好像只提供了Si材料的数据,...
2.使用Atlas进行LDDMOS器件仿真,产生一个Id/Vgs曲线并从这条曲线中进行器 件参数Vt,Beta和Theta的抽取。 1.1程序启动 要启动Deckbuild程序,在系统命令行中输入 deckbuild& 几秒钟后Deckbuild窗口显示出来。在Deckbuild启动后,你会看到如下的窗口(版本及 目录名可能不相同): Deckbuild程序窗口组成如下: 1.上面的文本窗...
2、使用Atlas进行LDDMOS器件仿真,产生一个Id/Vgs曲线并从这条曲线中进 行器件参数Vt,Beta与Theta得抽取。 1、1程序启动 要启动Deckbuild程序,在系统命令行中输入 deckbuild& 几秒钟后Deckbuild窗口显示出来。在Deckbuild启动后,您会瞧到如下得窗口(版 本及目录名可能不相同): Deckbuild程序窗口组成如下: 1.上面得...
Atlas, Silvaco 的通用及标准组件的一,二,三级器件仿真器。 VWF 核心工具还包括器件特性的 UTMOS 应用及 SmartSpice 电路仿真。本章将学习: 1. 使用 Athena 进行一个简单 LDD MOS 器件仿真和相关参数的抽取(如栅氧化层厚)。2. 使用 Atlas 进行 LDD MOS 器件仿真, 12、产生一个 Id/Vgs 曲线并从这条曲线中...