低壓化學氣相沉積製備的納米矽鑲嵌結構的a-SiN(下標 x):H薄膜,在3.75 eV的激光激發下,室溫下發射1~3個高強度的可見熒光.在相同的沉積溫度下(900℃),選擇不同的SiH2Cl2和NH3氣體配比時,所得薄膜表現出不同的熒光屬性,熒光峰的峰位元和數目有著顯著的變化.通過TEM,IR,XPS等分析手段對其原因進行了研究分析,認為...
恶臭在线监测氨气在线监测系统 预处理型多参数NH3在线监测系 ￥888.00 查看详情 厂界高精度VOC传感器模组/化工园区有机挥发物检测模块 ￥666.00 查看详情 高精度泵吸式氟利昂气体检测仪 手持式冷媒气体泄露报警器 ￥666.00 查看详情 高精度温室气体在线监测系统 碳排放在线监测 ￥666.00 查看详情 SGA-100系列温室气体四...
Sill2Cl2一NH3一N2体系LPCVD氮化 硅薄膜生长工艺 李学文,彭志坚 (1.国防科学技术大学湖南长沙,410000; 2.中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111) 摘要:以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4 薄膜的制备方法 和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅 ...
min片问时间膜厚压力/Pa距目标/mln炉口炉中炉尾SiH2Cl2NH3/mm值/nm77778079042802609.5220100最终以此工艺参数生长了9批氮化硅薄膜.生长稳定性,均匀性以及薄膜质量均非常好:用椭偏仪对每批样片进行膜厚测试结果进行数据处理后,片内不均匀性±1.98%,片间不均匀性±1.87%,批间不均匀性为1.81%.薄膜平均折射率为2.05...
薄膜淀积 速率的影响$结果表明& 8)":? 薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大#随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量 之比的增大单调减小$随着反应温度的升高#淀积速率逐渐增加#在 ^?$h 附近达到最大#随后迅速降低$在适当的工 艺条件下#制备的 8)":? 薄膜均匀%平整$较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均...
SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺
SiH2CL2-NH3-N2体系LPCVD Si3N4薄膜因素分析 以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜.考察了工作压力,反应温... 谭刚,吴嘉丽 - 《光学精密工程》...
楼上的问题都没看清.他答的凝固温度.氨气：-33.34 °C 氯气：-34.6°C SO2:-10℃（263K）HCl：-85.0℃ H2S：-60.4℃ CO2:熔点-56.6℃（5270帕） 凝华点-78.48℃（升华）He:常压下不可固化,熔点-272.2℃(25个大气压),沸点-268.9℃ SiHCl3:沸点(101.325kPa)：31.8℃ SiCl4:...
a SiH2Cl2 + b NH3 = c Si3N4 + d HCl + f H2 Step 2: Create a System of Equations Create an equation for each element (Si, H, Cl, N) where each term represents the number of atoms of the element in each reactant or product. Si: 1a + 0b = 3c + 0d + 0f H...
NH3、CL2、SO2、HCL、H2S、CO2、He 、 SiHCl3 、 SiCl4 、SiH2Cl2 液化温度各是多少? 答案 楼上的问题都没看清.他答的凝固温度.氨气:-33.34 °C氯气:-34.6°CSO2:-10℃(263K)HCl:-85.0℃H2S:-60.4℃ CO2:熔点-56.6℃(5270帕) 凝华点-78.48℃(升华) He:常压下不可固化,熔点-272.2℃(25个大气压),...