【题目】500SiH400SiH300SiH200SiH406080100120相对分子质量图1图2(1)元素的第一电离能:AL_Si(填“”或““).(2)基态 Mn^(2+) 的核外电子排布式为(3)硅烷 (Si_nH_(2n+2)) 的沸点与其相对分子质量的变化关系如图1所示,呈现这种变化关系的原因是(4)硼砂是含结晶水的四硼酸钠,其阴离子Xm(含B.0、H...
(1)硅烷 (Si_nH_(2n+2)) 的沸点与其相对分子质量的变化关系如图所示。 呈现这种变化关系的原因是 。500Si.Ho兰400SiH美300Si2H SiH200040 60 80100120相对分子质量(2)①H2O分子内的O -H、分子间的范德华力和氢键从强到弱依次为O OH CHO的沸点比 HO CHO的沸点低,原因是②乙二胺 (H_2N-CH_2 —CH2...
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物质结构与性质 元素周期律 元素周期律 元素周期律的变化规律 元素金属性强弱的比较与判断 元素非金属性强弱的比较与判断 试题来源: 解析 【答案】 B 【解析】 A.氢化物越稳定,非金属性越强,SiH4能自燃,H2S在300°C才能分解,说明SiH4稳定性小于H2S,所以说明硫的非金属性比硅强,故A是正确的; B.NaOH能制备...
(3)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅,三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法.生产过程示意如下:高纯硅焦炭HCI精馏H2石英砂高温粗硅SiHCI3(粗)SiHCI3(纯)300℃以上1084℃物质A①整个制备过程必须达到无水无氧。在H2还原SiHCl3过程中若混入O2 ,可能引起的后果是 。②在生产过程中物质A可循环使用,...
第三讲a-Si:HTFT的结构和工作原理 1.a-Si:HTFT的工作原理3.TFT-LCD的基本结构 王柏丽拉娟图2006年8月29日 a-Si:H的性质 1.a-Si:HTFT的工作原理 a-Si:HTFT的有源层材料是a-Si:H，它是一种典型的非晶态半导体材料，从而决定了TFT的某些性质不同于MOSFET。(a)(b)晶态和非晶态硅中缺陷示意图 (a)...
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