硅锗(SiGe/Si)材料,作为近十年来硅基材料的新发展,通过在硅衬底上生长硅锗合金外延层而制得。这种材料在多个领域展现出广泛的应用潜力,包括微波管、红外探测器及发光器件的制作。 应用前景 微波器件:在1988年,已利用SiGe/Si材料试制出异质结双极型晶体管(HBT),其截止频率可高于100GHz。与GaAs FET相比,SiGe/Si ...
SiGe材料在5G高频频段(毫米波)中表现出色,广泛应用于相关的AI硬件中,用于构建高效的射频前端和数据传输模块,满足相关系统的实时计算和通信需求,如此一来这些设备即使没有互联网连接也可以运行并独立做出决策。 ③高精度传感器:SiGe材料凭借其低噪声特性、高电子迁移率和优异的光电响应能力,在构建高精度传感器方面展现出显...
它描述了在固体材料的价带(valence band)和导带(conduction band)之间的能量差。换句话说,带隙能是电子从价带跃迁到导带所需的最小能量。对于硅(Si)这种半导体材料,其带隙能约为1.1 eV(电子伏特)在室温下。这意味着,为了从价带激发一个电子到导带,你需要至少1.1 ...
应变工程（Strained Engineering，Strained-Si）是提升Si纳米组件性能最有成效的方法，应变工程中常用SiGe材料来增加PMOS信道的压应力，增加电洞的移功率；而SiP材料则用来增加NMOS信道的拉应力，降低接触电阻，增加电子的移功率，不管是SiGe或是SiP等材料，微小的成分变化会大幅影响应变的程度，因此如何精确的侦测分析SiGe...
一、SiGe材料的特性 SiGe材料是由硅(Si)和锗(Ge)元素构成的合金材料,其具有优异的电学、光学和热学性能。SiGe材料的晶体结构与单晶硅非常相似,因此可用于硅晶圆上的制备工艺。同时,SiGe材料的禁带宽度随着含锗量的增加而缩小,因此具有比单晶硅更高的载流子迁移率和更低的电阻。此外,SiGe材料在高温下的稳定性更好,不...
硅锗颗粒N型(SiGe)产品概况 硅锗颗粒N型(SiGe)产品应用 N型硅锗合金是一类性能优异的高温热电材料,由它制成的放射性同位素热电发电机RTG可以长时间有效地将放射性同位素(Pu)衰变产生的热量转化为电能,工作性能稳定而无需额外燃料和人工维护,满足了航空航天器、卫星等设备在太空中的各种仪器供电需求。
研究背景第2章SiGe材料的特性研究特性基本特性光学特性热学特性SiGe材料的制备技术主要分为两大类:分子束外延(MBE)和化学气相淀积(CVD)。第3章SiGe技术的发展和主要器件自20世纪80年代后期美国IBM公司发明全球第一只硅锗异质结双极晶体管(SiGe-HBT)以来,经过十几年的发展SiGe/SiHBT在频率、性能和工艺等方面都有了迅...
在本发明的一种实施方式中,在步骤s102中,在所述硅衬底(001)上生长sige材料外延层(002),包括: 采用磁控溅射的方法,在400℃～500℃温度下,将纯度为99.999%的本征si1-xgex靶材料在1.5×10-3mb的工艺压力,以5nm/min的淀积速率溅射淀积在所述硅衬底(001)上。
硅锗(SiGe),是一种半导体材料,可用来制造异质结双极性晶体管、CMOS晶体管,用于集成电路制造中。与硅相比,硅锗的电子迁移率更高、带隙调谐范围更宽、功耗更低,制造功能相同的晶体管体积更小,并提高了频率与振荡能力。20世纪90年代以来,硅锗作为重要的半导体材料,产销量持续增长。
应变工程(Strained Engineering,Strained-Si)是提升Si纳米组件性能最有成效的方法,应变工程中常用SiGe材料来增加PMOS信道的压应力,增加电洞的移功率;而SiP材料则用来增加NMOS信道的拉应力,降低接触电阻,增加电子的移功率,不管是SiGe或是SiP等材料,微小的成分变化会大幅影响应变的程度,因此如何精确的侦测分析SiGe与SiP的...