SiGe作为GAA结构中的牺牲层 在环绕栅极纳米片(Gate-All-Around, GAA)晶体管制造中,SiGe层扮演着牺牲层的角色。通过高选择性的各向同性刻蚀技术,如准原子层刻蚀(quasi-ALE),可以精确地去除SiGe层,形成纳米片或纳米线结构。
过敏原试验分为两类:(1)体内过敏原试验,包括皮肤点刺试验(SPT)、皮内试验(IDT)、贴片试验和激发试验;(2)体外过敏原试验,包括血清过敏原特异性IgE(sIgE)、总IgE(tIgE)和嗜碱性粒细胞活化试验(BAT)。 在临床诊断和治疗过程中,通常有必...
SiGe BiCMOS工艺中的双极晶体管主要用于放大、混频和振荡等射频应用。SiGe材料的高迁移率可以提供更好的放大倍数和更低的噪声系数,在射频电路中起到关键作用。 SiGe具有优异的电学性能和热学性能,因此在电子、通讯和计算机等领域受到广泛关注。以电子器件为例,SiGe可用于高速CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中,以提高发射...
硅锗(SiGe)整流器产业链主要包括硅锗材料供应商、硅锗整流器芯片制造商、整流器模块制造商和最终应用厂商等环节。硅锗材料供应商：硅锗整流器的制造需要使用硅锗材料，硅锗材料供应商是整个产业链的起始环节。硅锗材料供应商主要包括研发机构和生产厂商，他们负责研发和生产硅锗材料，为硅锗整流器芯片制造商提供原材...
目前主要采用选择性外延SiGe的方法在PMOS的源漏区域(PSD)直接外延SiGe薄膜。图1和图2显示了该现有技术的制造方法,其包括:提供形成有栅极205的N型衬底201,所述栅极205具有牺牲层204保护,在衬底201上刻蚀出将要形成源漏的凹槽203;用SEG方法外延SiGe薄膜206,形成具有SiGe的PMOS源漏区。采用上述现有SEG方法形成SiGe源/...
目前,硅的电气和热性能在微电子技术领域中应用广泛。锗化硅(SiGe)合金的使用频率越来越高,在互补金属氧化物半导体技术中,英思特通过使用SON结构以及进行各向同性刻蚀,将该工艺扩展到对Si进行Si选择性刻蚀。 为了提高晶体管性能,基于SiGe中的传导沟道的技术目前已经在开发中。这种蚀刻是基于四氟化碳/N2/O2的气体混合...
过敏原sIgE检测：sIgE是指血清中的免疫球蛋白E，是针对体外过敏原的特异性抗体。它可以同时检测数百种过敏原，结果稳定，不受食物和药物的影响，特异性较高，特别适用于严重皮炎不能做皮试者、皮肤划痕症患者、皮肤反应差的老年人及3岁以下儿童、有用药影响、哮喘急性发作期和严重未控制哮喘、畏惧皮试者，以及需要...
sige是一个网络用语梗，常用来表示某种情绪或情景。解释如下：一、基本含义解释 sige是一个网络流行词汇，是随着时间变化而产生的新词。在社交媒体和在线交流环境中广泛流行和使用。由于其具有独特的发音和含义，sige很快成为了年轻人之间的热门用语。它通常用来表达一种特定的情绪或情景，可以是开心的、激动...
SIGE 2024华东国际凹印产业博览会 South China International gravure printing industry expo GIBE 2024上海国际制袋工业技术博览会 Guangzhou International Bag Making Industry Technology Expo 2024年11月19-21日 国家会展中心（上海）大会主题：“凹印智汇，袋启未来”随着全球经济的不断发展和人们生活水平的提高，软...
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似,通过源漏嵌入SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程PMOS的速度。它是通过外延生长技术在源漏嵌入SiGe 应变材料,利用锗和硅晶格常数不同,从而对衬底硅产生应力,改变硅价带的能带结构,降低空穴的电导有效质量。