商品型号SIDR104ADP-T1-RE3 商品编号C3289539 商品封装PowerPAK-SO-8DC 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 81A 导通电阻(RDS(on)) 6.1mΩ@10V,15A 耗散功率(Pd) 64...
Vishay SiDR104ADP-T1-RE3 MOSFET 产品详细信息 Vishay n 沟道 100 v ( d-s ) mosfet 具有超低 rds x qg 品质因数( fom )。它调谐为最低 rds x qoss fom 。 trench场 效应第四代功率 mosfet经过100% rg 和 uis 测试 属性数值 通道类型 N 最大连续漏极电流 81 A 最大漏源电压 100 V 封装类...
SIDR104ADP-T1-RE3-CN 由ChipNobo 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SIDR104ADP-T1-RE3-CN 价格参考￥ 0.46697 。 ChipNobo SIDR104ADP-T1-RE3-CN 封装/规格: PowerPAK® SO-8DC, N-Channel 100 V 18.8A (Ta), 81A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount Po...