某研究团队通过霍尔效应测试发现,4H-SiC材料在500K时迁移率仅衰减25%,这种特性直接反映在电流密度曲线上。 禁带宽度差异导致两种材料温度响应呈现不同特征。硅的1.12eV禁带宽度在温度升高时逐渐缩小,每升高1K约减小0.3meV。碳化硅3.26eV的宽禁带使其本征载流子浓度受温度影响更小,300-500K范围内本征载流子浓度变化幅度比...