考研/考博复试面试:物化/理论计算化学-常考知识点系列9 密度泛函DFT,交换关联泛函Exc,XYG3泛函,局域密度近似LDA,自旋极化的局域密度近似 L(S)DA,广义梯度近似GGA,杂化泛函,屏蔽交换,自相互作用修正SIC,BLYP泛函,B3LYP泛函,K-S轨道,平均密度近似ADA,加权密度近
如果我们假设碳、硅原子是刚性小球,在晶体中彼此相切,请根据碳、硅原子半径计算SiC的密度,再根据理论值计算偏差,并对产生偏差的原因作一合理解释.答案、、是晶胞质量为4×(12.01+28.09)/NA g,晶胞体积为[(1.17+0.77)×10-8×4/ ]3cm3,密度为2.96(2分)...
1、SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究【摘要】 本文通过第一性原理研究了两部分内容:SrTiO3材料的电子结构及其属性的研究和3C-SiC的热力学性质及热输运性质的研究。首先基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势计算方法,采用广义梯度近似(WC泛函)对SrTiO3材料的电子结构及其属性进行研究,主要内容分三个...
5.如果我们假设碳.硅原子是刚性小球.在晶体中彼此相切.请根据碳.硅原子半径计算SiC的密度.再根据理论值计算偏差.并对产生偏差的原因作一合理解释.
SiC微观结构,造成材料中产生气泡和孔洞等微观缺陷并导致材料硬化和断裂,最终影响材料的服役性能.因此,研究中子辐照下3C-SiC材料中辐照缺陷与嬗变原子相互作用对于理解材料性能下降的微观机理和评估其在两种反应堆中的服役性能具有重要意义.本文以3C-SiC中嬗变原子和辐照缺陷为研究对象,基于成熟的密度泛函理论方法,系统研究...
考研/考博复试面试:物化/理论计算化学-常考知识点系列9 密度泛函DFT,交换关联泛函Exc,XYG3泛函,局域密度近似LDA,自旋极化的局域密度近似 L(S)DA,广义梯度近似GGA,杂化泛函,屏蔽交换,自相互作用修正SIC,BLYP泛函,B3LYP泛函,K-S轨道,平均密度近似ADA,加权密度近似WDA,含时密度泛函理论TD-DFT,相对论性密度泛函理论RDF...