市首创君合专利事务所有限公司 35204代理人 张松亭 游学明(51)Int.Cl.C30B 25/16 (2006.01)C30B 29/36 (2006.01)C30B 25/20 (2006.01)H01L 21/02 (2006.01) (54)发明名称非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法(57)摘要本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长...
1.非平衡条件下化学势调控生长单体的sic台阶流快速生长方法,所述生长方法包括:1)准备碳化硅衬底,所述的碳化硅衬底为具有台阶的4h‑sic衬底;2)反应腔体升温:将反应腔体升温至第一温度后恒温保持;3)反应腔体恒温放片:将步骤1)4h‑sic衬底放入承载盘,再将承载盘和衬底一起装入反应室,此时反应室温度稳定在第一...
1.非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流低速生长方法,包括如下步骤: 1)准备碳化硅衬底,所述的碳化硅衬底为具有台阶的4H-SiC衬底; 2)反应腔体升温:将反应腔体升温至第一温度后恒温保持; 3)反应腔体恒温放片:将步骤1)4H-SiC衬底放入承载盘,再将承载盘和衬底一起装入反应室,此时反应室温度稳定在第一温度; ...
和δnc分别表示相对于洁净台阶表面,各生长结构中si原子和c原子数目变化量,在平衡状态下,给定种类的化学势在相互关联的所有相中都是相等的,在此假设4h-sic的各种台阶表面和体结构平衡,则c原子和si原子的化学势将不是相互独立的,两者满足其中为4h-sic的化学势,则式(1.1)可以表示为 [0036][0037] 在sic材料实际生...
1.本发明涉及非平衡条件下化学势调控生长单体的sic台阶流快速生长方法。 背景技术: 2.随着电力传输、电力转化、航空航天、军事以及核能等领域对于高温、大功率、高压以及抗辐射电子器件的迫切需要,以sic、gan、zno等为代表的宽禁带化合物半导体材料逐渐引起人们的注意。其中,sic材料具有宽禁带宽度、高热导率、高耐击穿...