在无压浸渗法制备 SiCp / Al 复合材料的 过程中,当炉温升至铝合金基体熔点以上后,MgO 涂层 内部包裹的铝合金型芯便开始逐渐熔化,此时铝合 金型芯表面的 MgO 涂层依然完好存在,熔化了的液 态铝合金便在体积膨胀产生的热应力的驱使下通过 MgO 涂层中的细微孔隙向型芯外部的 SiC 粉体中渗 入,由于铝合金的熔化...
The hetero-structured SiC{sub}x films have been deposited by hot-wire CVD using SiH{sub}3CH{sub}3 as carbon source gas. Although the carbon source gas ratio and filament temperature in the deposition using SiH{sub}3CH{sub}3 were smaller than those using C{sub}2H{sub}6, the carbon...
Silicon Carbide (SiC) Submount • Monocrystalline Silicon Carbide (SiC) substrate • High thermal conductivity ≥370W/m*K • Prefabricated gold tin solder • CTE (coefficient of thermal expansion) matching with laser diode • High insulation qu
Bar Stacks High Thermal Conductivity Heat Sink For Laser Chip Silicon Carbide (SiC) Submount View details <1>proceedpage Dogain Optoelectronic Add:Bld 32, No.99 Jinjihu Avenue, 215123 Suzhou, Jiangsu, China Tel:+86 512-62385166 Sales Tel:+86 512-61790076 ...
而且还因为相较于g-SiC2, g-SiC3和g-SiC5, g-SiC7中的Si原子有足够多的分布方式, 有利于探索Si原子分布的规律. 通过排列组合, 考虑所有Si原子可能的占位, 从中筛选出不等价的分布, 然后对每种分布考虑平面和各种非平面结构, 通过第一性原理计算总能来比较其稳定性, 找到了几种能量相近最稳定的结构, 并...
SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 应用于碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC-CMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层(EBC),在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀,局部开裂或剥落等问题.为了循环再利用价... 马帅,李广荣,刘梅军,... 被引量: 0发表: 2020年 ...
“微米、纳米(SiC)<SUB>p</SUB>表面全包覆的工艺方法”专利由宿辉、 曹茂盛、 王正平共同发明。本发明公开了一种实现微米、纳米(SiC)<SUB>P</SUB>表面全包覆的工艺方法,在常压和低温下,以工业生产中的废料(SiC)<SUB>P</SUB>为原料,采用简单的化学镀方法,对(SiC)<SUB>P
一种具有荷叶效应的(SiC)<Sub>P</Sub>超疏水膜层的制备方法,属于材料表面改性技术领域,在常压,常温条件下,采用简单的化学沉积方法,构筑微纳米结构,实现(SiC)<Sub>P</Sub>超疏水膜层的制备.制备过程包括,(SiC)<Sub>P</Sub>前处理,(SiC)<Sub>P</Sub>表面化学沉积改性和改性后(SiC)<Sub>P</Sub>的较长...
“一种SiC<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料涡轮叶片的制备方法”专利由鲁中良、 李涤尘、 陆峰、 曹继伟、 卢秉恒共同发明。发明公开了一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料涡轮叶片的制备方法,其特征在于,该方法通过分析叶片在使用状态下的应力分布,以此为据,设计采用快速成型、
潍柴动力申请SiC/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料技术专利，实现复合材料技术领域的新突破 金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，潍柴动力股份有限公司申请一项名为"一种SiC/Si3N4复合材料及其制备方法和应用"，公开号CN117401991A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本申请涉及复合材料技术...