Hetero-interface properties of SiO2/4H-SiC on (0001), (11-20), and (03-38) crystal orientations are presented. Epitaxial growth on new crystal orientations, (11-20) and (03-38), is described by comparing with the growth on (0001). Using thermal oxidation with wet oxygen, metal-oxide...
“SiCf-SiC陶瓷基复合材料内锥体试制”项目采购结果公告一、采购人:中国航发四川燃气涡轮研究院 二、项目名称:“SiCf-SiC陶瓷基复合材料内锥体试制”三、发布军品配套公告时间:2020年7月7日四、对接企业:1家1.西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司五、评审日期:2020年7月20日六、评价方法:询价七、评审结果排名 单位名称 备...