SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的第一性原理研究 宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。基于SiC半导体的高功率电力电子器件比... 李文波 - 大连理工大学 被引量: 0发表: 2016年 SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的第一性...
n-type doping with Si and p-type doping with Mg are reported for cubic GaN grown by molecular beam epitaxy (MBE) on cubic SiC(001). Mg incorporation as high as 1脳10 19 cm 3 has been reached at low growth temperatures. However, no correlation is f...
负责SIC线上产品的运营 SIC微信公众号 微博小程序等 以其作为媒介传播资讯 负责学校大型活动新闻资讯获取和撰写 是SIC技术资源的中转站 吴晓纯好事总会发生在下个转弯 薛梓瑜别急 在变好 林晓桐人外有人,天外有天 郑彦霖慎独。 摄制编导部 摄制编导部 负责校内大...
极性表面结构的第一性原理计算及其在SiC(001)-(2×1)表面中的应用
品牌: SIC 封装: SOP-7 批号: 21+ 数量: 8000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9V 长度: 1.6mm 宽度: 1.9mm 高度: 1.1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
SIC 电子商务 未融资 更换职位 职位关闭 总经理秘书 - K· 薪 卡莱特云科技股份... 计算机软件 已上市 职位详情 深圳 3-5年 本科 总助 档案 活动管理 总经理助理:boss会议记要、行程安排、文件传达、资料整理boss。 职位详情 深圳 1-3年 本科