n-type doping with Si and p-type doping with Mg are reported for cubic GaN grown by molecular beam epitaxy (MBE) on cubic SiC(001). Mg incorporation as high as 1脳10 19 cm 3 has been reached at low growth temperatures. However, no correlation is f...
极性表面结构的第一性原理计算及其在SiC(001)-(2×1)表面中的应用
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SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的第一性原理研究 宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。基于SiC半导体的高功率电力电子器件比... 李文波 - 大连理工大学 被引量: 0发表: 2016年 SiC/SiO_2界面形成机理及界面缺陷的第一性...
品牌: SIC 封装: SOP-7 批号: 21+ 数量: 8000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9V 长度: 1.6mm 宽度: 1.9mm 高度: 1.1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...