产品规格: FS3L200R10W7F_B94 200A 950V FS3L200R10W3S7F_B94是采用200A 950V 7 S7和SiC二极管的Dual-Boost Easy3B模块。 该功率模块是为1500V直流电压的太阳能应用而开发的,与双面光伏组件兼容,功率为500W+。 每个模块都配备了3路MPPT,每路MPPT的输入电流可达到30A。 模块带高效率和坚固的旁路二极管,保...
FS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封装的三路45A MPPT模块。它采用950V的TRENCHSTOP IGBT7和1200V的CoolSiC肖特基二极管的配置。在这种芯片配置中,SiC二极管能有效减少了IGBT的开关损耗。 模块采用了成熟的PressFIT压接技术,安装非常简单。 产品特点 950V TRENCHSTOP IGBT7,45A,150度结温时,饱和压降的典型值为1.27...
1. 受到IGBT 耐压等级限制,750V 电压已是当前硅基功率器件的耐压上限。随着耐高压、低损耗、高功率密度的SiC 功率器件的逐步深入应用,950V 左右的的电压平台逐步被车企提上日程,并将成为未来3-5 年的重要趋势。2. 目前的800V高压平台典型车型。3. 2023-2026年的高压平台渗透率:从22%到50%。
用粒度为 50～70 nm的纳米级 SiC粉体与微米级的 Si3N4粉体复合来制备 Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料,对纳米SiC含量不同的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究.结果表明:纳米 SiC质量分数为10%时,经热压烧结法制备的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 844 MPa,断裂韧性为 9....
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长 使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-Si C晶体。使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼光谱面扫描、非接触电阻率测试面扫描... 杨昆,陈秀芳,杨祥龙,... - 《人工晶体学报》 被引量: 14发表: 2014年 ...
型号 DP950XB 技术参数 品牌: 德普 型号: DP950XB 封装: SOP7 批号: 21+ 数量: 1000000 内阻: 12-1.6欧 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户...
A high di/dt 4H-SiC thyristor with (sic)-shaped' n-base is proposed and investigated by simulation. Unlike the conventional SiC thyristors, the proposed SiC thyristor features a lightly-highly-lightly doped ('(sic)-sha...
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第一代:以硅(Si)、锗(Ge)为代表的单质半导体材料。锗(Ge)是最早采用的半导体材料。1958年,TI的基尔比以锗材料作为衬底制造了第一块集成电路,他也因此在2000年获得了诺贝尔奖。然而,锗器件在耐高温和搞辐射性能方面不如硅(Si)器件,因而硅在后面成为应用最广的一种半导体...
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