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“公司的第三代功率半导体SiC模块技术水平已能和国际知名品牌产品展开直接竞争,尤其是其采用的全银烧结,使用利普思专利的芯片表面连接技术的直接水冷结构、电气特性、散热、功率密度已经达到了国际领先水平。”利普思联合创始人、COO丁烜明告诉记者,相对于其他品牌...
当新能源汽车的续航焦虑撞上材料科学的颠覆性突破,一场由碳化硅(SiC)功率半导体主导的“效能革命”正悄然改写行业规则,同时车规级功率半导体技术创新已进入深水区。由汽车行业权威机构发起、需求端引领并深度参与的第四届新能源汽车及功率半...
本公司生产销售模块底板 模块底板 加密模块,提供模块底板专业参数,模块底板价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.模块底板 模块底板 品牌H3C|产地北京|价格704.00元|功耗52W|馈电电压100V~240V|型号RT-SIC-CNDE|电源电压220V|背板带宽336Gbps/3.36Tbps|外形尺寸440×3
一种原位SiC颗粒增强Ti6Al4V的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种原位SiC颗粒增强Ti6Al4V的制备方法,它的步骤如下:(1)将Si粉和C粉放入高能研磨设备中进行机械合金化,研磨8-48小时,Si粉与C粉的质量比为2-3:1,然后加入SiO 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2013-08-07 公开 公开 2013-08-...
议价FLOWSIC500议价 已售少于100 ￥8500点击查看更多配送: 广东深圳至 北京东城 快递: 99.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 无品牌 型号 cNFKBfSQ 售后服务 全国联保 图文详情 本店推荐 议价意大利SITI西帝FC71C4+减速机MU50 ...
图表2Si与SiC材料优缺点对比,数据源于【研报】电子行业深度报告:第三代半导体SIC爆发式增长的明日之星-20200917(31页).pdf。
2.根据权利要求1所述的由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)所述酸采用浓度为1mol/L的硝酸或盐酸。 3.根据权利要求1所述的由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤2)所述负压浸渍是在82～103 KPa及室温条件下,将制备好的聚硅氧烷溶胶倒吸浸没于多孔碳材料的骨架内,保持2h。
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下列化学用语正确的是( )A.碳化硅的分子式为SiCB.Cl-的结构示意图:C.丙烷的分子球棍模型示意图:D.原子核内有8个中子的碳原子: 86C