硅碳化物(SiC)是一种广泛应用于高压、高温及高频电力电子器件的半导体材料。SiC芯片外延片是指在SiC衬底上,通过外延生长技术形成的一层或多层SiC薄膜。外延片的质量直接影响到器件的性能,因此理解其概念及应用至关重要。 外延生长技术 外延生长是指在已有的晶体衬底上,通过化学气相沉积(CVD)等方法,在特定条件下生长...
功率器件 功率mosfet (Si/SiC) Re:如何优化 1ED3122MC12HXUMA1 对 IMW120R060M1H 的驱动输出?如何优化用于 IMW120R060M1H 的 1ED3122MC12HXUMA1 的驱动输出 Translation_Bot Community Manager 16 四月 2024 查看原创内容: English | 原作者: lixuancheng 这是机器...
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认清“普世价值”虚伪本质 摘要:本文从历史和现实层面,对所谓的“普世价值”进行了梳理和批判,论证了“普世价值”的资产阶级属性,揭露了以美国为首的西方国家宣扬“普世价值”的真实目的,揭示了社会主义必然取代资本主义的历史客观规律。提出批判普世价值,树立社会主义核心价值观的重要意义。从我国所处的国际环境来看,...