SiC JFET 释义 abbr. silicon carbide junction field-effect transistor 碳化硅结型场效应晶体管
什么是堆叠式共源共栅? 与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可用功率晶体管相比,常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗。如图1a所示,当低压MOSFET堆叠在JFET上时,为了实现图1b的共源共栅架构,就形成了低阻抗常关断型开关,称为堆叠式共源共栅,其阻抗是低压MOSFET和SiC JFET阻抗之和,根据所选...
SiC开关管器件逐渐成熟,SiC结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,JFET)、金属氧化层半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)的开发逐步从实验室研发阶段进入到商业化阶段。(PS:JFET器件和MOSFET器件为单极型器件,其开关速度高,主要适用于0.6kV~10kV 的范围,双极结型晶体管(Bi...
在以可靠的 SiC 器件为目标时,金属氧化物半导体场效应晶体管 ( MOSFET ) 已被普遍接受为首选概念。最初,结型场效应晶体管 (JFET) 结构似乎是在 SiC 晶体管中兼顾性能和可靠性的最终解决方案。然而,随着 150mm 晶圆技术的成熟,基于沟槽的 SiC MOSFET 已变得可行。这样一来,双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构既...
2001 年英飞凌最先发布 SiC JBS 产品;2008 年 Semisouth 发布了第一款常关型的 SiC JFET 器件;2010 年 ROHM 公司首先量产 SiC MOSFET 产品;2011 年 Cree 公司开始销售 SiC MOSFET 产品,2015 年 ROHM 继续优化推出了沟槽栅MOSFET。目前, SiC SBD 二极管和 MOSFET 晶体管目前应用最广泛、产业化成熟度最高,SiC ...
UnitedSiC公司工程副总裁Anup Bhalla对此也表示认同,UnitedSiC是一家SiC FET、SiC JFET和SiC肖特基二极管制造商。Bhalla认为,“更高的功率密度会带来系统优势,但同时EMI问题会变得尤其严重。因为高功率密度实际上意味着所有元件都要变得更小,而变小的唯一方法就是开关速度更快。这样可以将变压器、电感器、散热器和其它...
SiC MOSFET是单极性器件，即只有电子参与导电。沟道开启后电流立刻建立，DS端压降随电流上升而线性上升，...
功率MOSFET的导通电阻,由几部分构成:源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计人员总是要千方百计地降低导通电阻,进而降低器件损耗。对于高压硅基功率器件来说,为了维持比较高的击穿电压,一般需要使用较低掺杂率以及比较宽的漂移区,因此漂移区电阻在总电阻中占比较大。碳化硅材料临界...
α-SiC）、纤锌矿结构（β-SiC），已经被证实的多型超过200种 一种具有丰富颜色信息的晶体 不同的多型具有不同的颜色将氮掺入SiC中具有不同的颜色 Page7 碳化硅材料基本特性列表 Page8 碳化硅材料能做什么 大功率LED照明领域 Page9 碳化硅材料能做什么 大功率电力电子器件 材料 Page10 ...