1.外延位于SiC产业链上游,占器件成本23% 碳化硅产业链上游为碳化硅衬底和外延片的制备,碳化硅粉料通过长晶、加工、切片、晶片研磨等环节制备成碳化硅衬底,衬底上生长单晶外延材料。碳化硅产业链中游为碳化硅功率器件和碳化硅射频器件的设计、制造、封测等环节。碳化硅功率 器件被广泛应用于新能源汽车、光伏、工业电源、轨道...
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AP8851L压芯片 高功率IC大幅提高... 马可会员 深圳芯纳科技技术有限公司 身份验证: 经营模式:服务型 注册资本:50万元 企业类型: 公司地区:中国 主营产品:AC-DC电源IC,电源管理类IC,DC-DC升降压,锂电池充电IC,LDO稳压IC 进入店铺 产品分类 集成电路/IC ...
随着电子产品的不断发展,对于功率器件的需求也在不断增加。在众多功率器件中,SIC(碳化硅)分立器件因其在高温、高压和高频环境下具有出色的性能表现,受到了广泛关注和应用。在SIC分立器件的生产过程中,集成功率是一个至关重要的指标,直接影响到产品的质量和稳定性。开发一款集成功率模块成为了当下SIC分立器件行业的迫切...
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IGBT SiC MOSFET 超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET 超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT 绝缘栅双极晶体管 新能源汽车 光伏逆变 移动储能UPS 工业电源 变频器 XDM 本文由ll转载自XDM(芯达茂微电子公众号),原文标题为:「精彩回顾」PCIM Asia 2024上的芯达茂,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确...
产品中心 中低压SiC SBD芯片 1200V 高压SiC SBD 芯片 3300V 高压SiC MSOFET 芯片 3300V 中低压 SiC MSOFET 芯片 1200V 3300V 1700V 全SiC 功率模块 3300V 1200V TO SiC 器件 1200V
产品中心 高压SiC MOSFET 芯片 3300V 中低压 SiC MOSFET 芯片 1200V 750V 高压SiC SBD 芯片 3300V 中低压SiC SBD芯片 1200V 全SiC 功率模块 3300V 1200V 750V 1200V
SIC系列四款假面骑士BLACK 黑色与绿色 色差对比 8851播放 与皮套完全不同的设计,往往令人倍感震撼!SIC 假面骑士BLACK RX 影月 创世王 详细对比 1.1万播放 『旧物新评』完全蝗虫化!绿色的黑日?SIC VOL.17 假面骑士BLACK 影月套 MASKED RIDER SHADOW MOON.VER 13.4万播放 『旧物新评』完全蝗虫化!绿色的黑日!SIC...