1905年：第一次发现碳化硅材料1955年：SiC开始用作电子材料1985年：全球首个MOSFET器件诞生1991年：全球第一片商用SiC衬底推出2000年：CREE4寸片碳化硅衬底量产2001年：第一代SiC肖特基二极管（SBD）开始商用2006年：第一代SiC JFET小批量生产2007年：第一代混合型SiC模块发布2008年：第一代纯SiC功率模块发布2010年：...
2007年,中国电科装备2所着手布局SiC单晶衬底材料的研制规划,李斌(现烁科晶体总经理)带领项目团队开始SiC单晶生长炉的研制。 李斌 他们用“千锤百炼乃成刚”来形容的碳化硅长晶炉的研制历程,通过上千炉的工艺试验为设备的改进升级提供了大量的数据支持,从2007年到2018年,中电科2所SiC单晶生长炉历经了5代更迭,从最初...
原帖由lkxinbite于 2007-5-25 09:04 发表 何必这么麻烦,再电驴下载,金属热处理常见工艺技术五百种.pdf...
ST(意法半导体)于 1987 年成立,由意大利的 SGS 微电子公司和法国 Thomson 半导体公司合并而成,是业内半导体产品线最广的厂商之一。在 SiC 领域,ST 早于 1996 年就与卡塔尼亚大学物理系合作开展 SiC 研究,在 2007 年正式量产第一代二极管,随着与特斯拉开启合作后,ST 快速迭代自身产品系 列,并且收购了 Norstel A...
随后2007年试制了300A MOSFET,并于2008年发布了沟槽式器件。 2009年,罗姆收购了SiC晶圆供应商SiCrystal。随后在2010年推出首批批量生产的SiC肖特基二极管和MOSFET,2012年批量生产全SiC模块,2017年交付了6英寸SBD。 罗姆计划到2025年累计投资850亿日元在SiC方面。这里面包括了SiC功率器件、SiC晶圆和栅极驱动IC芯片的投资...
of SIC 2007 Simon Woodsford Office for National Statistics Summary This article provides information about producer price index (PPI) and services producer price index (SPPI) implementation of the United Kingdom Standard Industrial Classification of All Economic Activities 2007 (UK SIC 2007). Classificat...
从1980年代起，丰田旗下的丰田中央研究所就开始和电装共同推进SiC的研究，丰田从2007年开始参与到开发中。2013年12月，丰田在广濑工厂建立了一个专门用于SiC半导体开发的生产设施，例如专用于SiC的洁净室等。2014年及以后，丰田汽车在普锐斯和凯美瑞混动车的PCU中安装了共同开发的SiC功率半导体，并进行重复驾驶测试和公路...
2007年6月 25日,英飞凌宣布计划收购德州仪器 (TI) 的 DSL 客户端设备 (CPE) 业务,德州仪器的DSL CPE产品与英飞凌的路线图相结合,可为DSL客户提供独特的端到端产品。 2007年8月,英飞凌宣布将以约. 3.3 亿欧元加上高达 3700 万欧元的或有绩效付收购 LSI 的移动产品部,LSI 的移动产品部主要包括移动无线电基带...
访问意大利的2010年欧洲账户体系:家庭收入:2007年标准行业分类(SIC 2007)的数据和研究。探索有关195个国家/地区的经济指标的专家预测和历史数据。
II-VI主要致力于SiC-GaN,即射频领域。SiCrystal是日本SiC第一大厂罗姆的子公司,SiCrystal于2009年被罗姆低价收购。早在1999年,罗姆就开始聚焦SiC,最初的SiC MOSFET开发始于2002年,初始样品于2005年出货。随后2007年试制了300A MOSFET,并于2008年发布了沟槽式器件。