与开通部分同理,分压电阻R1、R2,比较器OP4、OP5以及与门AND2构成的Vgs-off检测电路用于排除器件导通后电压Vds振荡所产生的干扰。通过检测Vgs是否处于[Vr4,Vr5]区间,配合dVds/dt检测电路所产生的逻辑输出信号,精确地识别关断过程的电压上升阶段,其中比较电压Vr4和Vr5的设置取值为 (14) (15) (16) (17) 式中...
TO-247-2L 1200V 15A 288W 1.45V 175℃ 第五代 KS15120-T TO-220F-2L 1200V 15A 221W 1.35V 175˚C 第五代 KS16120-R2 TO-247-3L 1200V 16A 332W 1.5V 175˚C 第五代 KS20120-A TO-220-2L 1200V 20A 277W 1.4V 175℃ 第五代 KS20120-C 新品 TO-247-2L 1200V 20A 300W 1.33...
虹美功率半导体 - 车规SIC二极管,SIC二极管,莫斯中士,超高压平面MOS,SGT MOS,高压超结MOS,MOS,GAN FET,IGBT,高压平面MOS,大功率高压N沟道场效应管,氮化镓场效应管,二极管,HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65...
SHINDENGEN新电元工业开始进行民用与工业设备用SiC功率模块“MG074”的样品发货。本产品采用新开发的封装设计,将其搭载SiC MOSFET的性能发挥到极致。内部结构采用左右对称布局和相等长
SICP1308DZ-R22M-NV1W |LANZHEN SICP0640N-2R2M-WM2W LANZHEN SICP0630S-1R0M-WM1W LANZHEN SICP1308DZS-R33M-WM1W INDCHOKE,1.0H20%SMD-8.7x1x48mn NppFD ERALOY HALOGENFREE LANZHEN SICP0805N-1ROM-WM1W 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能...
R2 5R1 Vgs_RTN_SL Vgs_SL_on SOD-123 ZD2 MMSZ5226BT1G C12 C1206 100nF C13 C1206 10nF R3 1R Vgs_RTN_SL Q1 1 4 R4 3 2 10k Q1 power drain track (Pin D) Q1 power source track (Pin S) Q2 power drain track (Pin D) R5 1R Vgs_SL_of f R6 ...
你好團隊,我正在設計一個帶有背對背MOSFET( IPTC011N08NM5ATMA1 )連接的雙向電源開關,其中MOSFET持續導通。用於驅動 FET 的驅動器是TPSI3050-Q1。我們的系統在 12V 直流電源下工作,我在下面提到了我的系統的載流要求。 5A 連續的 15A 5秒 40A 1... Show more Translation_Bot Community Manager 1 七月 20...
CRXQ20D120G2 SIC二极管 华润微 封装TO-247 批次24+ CRXQ20D120G2 5000 华润微 TO-247 24+ ￥20.0000元1000~1999 个 ￥19.0000元2000~2999 个 ￥18.0000元>=3000 个 深圳市华旺伟业科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 CRXI15D120G1TO220F2替STPSC15H12华润微SIC肖特基二极管15A1200...
900V 4MBI900VB-120R1-50 900V 4MBI220VG-170R2-50 4MBI450VB-170R2-50 4MBI600VB-170R2-50 89 250 RB-IGBT T3 T4 M404 Note: AT-NPC (Advanced T-type Neutral-Point-Clamped) 3-level Module integrates RB-IGBT (Reverse Blocking-IGBT) in addition to ordinary IGBT and FWD in single ...
罗姆于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(UAES)签署了SiC功率元器件的长期供货协议。UAES公司将确保在电动汽车产品开发方面的重要部件——SiC功率元器件的产能。双方将继