由于优秀的物理特性,SiC在1000V以上的中高电压范围具有高压、高温、高频三大优势,是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等领域的核心材料。目前新能源车中的主驱逆变器仍以IGBT+Si FRD方案为主,考虑到未来电动车需要更长的行驶里程,更短的充电时间和更高的电池容量,SiC MOSFET元件将是大势所趋。