具体而言,SIC外延生长法的工艺流程可以分为以下几个关键步骤: a. 衬底准备:选择合适的SIC衬底,并进行表面处理,以去除杂质和缺陷。通常使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法来制备合适的SIC衬底。 b. 热解预处理:将SIC衬底放置在高温炉中,通过热解预处理,去除表面的氧化物和其它杂质。这一步骤也有助于...
下文将介绍石墨烯SiC外延生长的工艺流程及其关键步骤。 二、衬底预处理。 1.衬底清洗:首先对SiC衬底进行清洗,去除表面的杂质和污垢,保证生长表面的纯净度。 2.衬底表面处理:接着对清洗后的衬底进行表面处理,常用的方法包括化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD),以提高表面的光滑度和结晶度。 三、生长过程 1.催化...
其中,化学气相淀积CVD法是目前化合物半导体外延生长的标准工艺技术,同时其在特殊高温下的技术用于生长较厚的SiC外延层。 02 SiC的同质外延 之前我们说过,SiC具有多型结构,如立方结构、六角结构、菱形结构等,目前SiC大概有170多种多型结构体,不同的多形体表现出来的特性也不相同,比如带隙能量可在2.42~3.33eV之间。Si...
4°4H-SiC 厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用 HCl 气体作为含 Cl 化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于 4H-SiC 外延层质量的影响.采用 1620℃ HCl 气体刻蚀衬底 5 min , 1600℃ 外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成.通过刻蚀工艺,以...
摘要:高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作 为含Cl化合物,研究了不同温度、气相yC/ySi 摩尔比和刻蚀工艺等对于SiC外延层质量的影响。通过优化外延 工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了SiC单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面 ...
4度偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究 高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。本文采用HCl气体作为含C1化合物,研究了不同温度、气相C/Si摩尔比、刻蚀工艺等对于SiC外延... 毛开礼 - 全国晶体生长与材料学术会议 被引量: 1发表: 2015年 XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 ...
本文详细地介绍了碳化硅外延材料生长工艺过程,同时对外延生长过程中的关键工艺参数,如生长温度,硅氢比,碳硅比和氯硅比等对外延层结晶质量,缺陷水平以及厚度和掺杂浓度均匀性的影响进行了分析和讨论.其目的在于深入理解外延过程中的工艺参数对外延层的影响,通过对工艺参数的优化,制备出高质量的碳化硅外延材料,全面满足大...
SIC外延生长法是一种用于制备石墨烯等碳材料的技术。以下是SIC外延生长法制备石墨烯的工艺流程: 1. 选择合适的SIC衬底:首先,需要选择一个合适的SIC衬底。SIC衬底的选择应考虑其导电性、热稳定性和与石墨烯的晶格匹配等因素。 2. 清洗衬底:将选好的SIC衬底进行彻底的清洗,去除表面的杂质和氧化物等。清洗过程可以使...
【摘要】10 kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC 外延生长工艺要求.4°4H-SiC 厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用 HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响.采用1620℃ HCl气体刻蚀衬底5 min,1600℃外延生长的工艺,可以...