Si MOSFET、Si IGBT 和 SiC MOSFET 均可用于电源 应用,但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率 IGBT 和 MOSFET 在栅极均由电压进行驱动,因为 IGBT 内部是一个驱动双极结型晶体管 (BJT) 的 MOSFET。由于 IGBT 的双极特性,它们以低饱和电压 承载很大的电流,从而实现低导通损耗。MOSFET 也具 有低导通损...
驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。 驱动功率可以从门极电荷Qg,开关频率fin,以及驱动器实际输出电压的摆幅△Vg计算得出: 该公式是在门极驱动电流不发生谐振的条件下得出的。只要这个开关过程是IGBT/MOSFET门极从完全打开到完全关断或者反过来,则驱动功率并不依赖于门极电阻及占空比的变化而变化。
如前所述,可以使用负门电压将 IGBT 关闭。经过实践证明,-9V 的电压是安全有效的。目前,通常使用带有 +15V 和 -9V 非对称电压的双隔离 DC/DC 转换器作为 IGBT 驱动器。 驱动SiC FET 在需要高能效、体积小和重量轻的应用中,如高端工业设备、逆变器或电动汽车,碳化硅 (SiC) MOSFET 正变得越来越受欢迎。SiC F...
GD3100是面向IGBT/SiC的先进单通道栅极驱动器。集成电隔离和低导通电阻驱动晶体管提供高充电和放电电流、低动态饱和电压以及轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间最大限度地降低IGBT/SiC应力准确和可配置的欠压锁定提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压余量自主管理严重故障并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和...
“在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中,碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率,SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压(具体取决于所使用的器件)。
【导读】意法半导体的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制 2024 年 11月 13 日,中国——意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅...
瞻芯单通道低侧栅极IGBT驱动mos驱动芯片8引脚集成负压偏置驱动器 ￥1.00 查看详情 瞻芯感应加热电源碳化硅功率模块SOT227封装1200V 50毫欧+20A SBD ￥1.00 查看详情 国产碳化硅1700V1000mΩ SiC MOSFET高压低导通电阻MOS管 ￥9.90 查看详情 瞻芯电子车规级碳化硅MOS管650V40毫欧TO-247-3封装 ￥3.33 查看详情 ...
基于瞻芯电子IVCR1401的碳化硅SiC和IGBT驱动电路PCB实战 BOOST升压电路 H桥 单相逆变 三相逆变 LLC谐振变换器 隔离芯片:ADUM226 π122u31 SI8621 CA-IS3721HS IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8引脚集成负压偏置驱动器 是瞻芯电子一款4A单通道高速智能驱动器,能够高效,安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以...
IGBT和SiC MOSFET在功率变换中的应用各有优势，IGBT因其内置双极性晶体管能承载高电流，适合高功率；而SiC MOSFET则以高频应用提升功率密度和效率。隔离技术，如光电、电容和磁隔离，确保系统的安全运行。驱动强度的选择取决于开关的栅极电荷，它决定了驱动器的拉电流和灌电流能力。分离的输出设计有助于独立...
2024年5月27日消息， Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要...